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製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	STMicroelectronics
	プロダクトタイプ	MOSFET
	チャンネルタイプ	タイプN
	最大連続ドレイン電流Id	11A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	600V
	シリーズ	MDmesh
	パッケージ型式	TO-220FP
	取付タイプ	スルーホール
	ピン数	3
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	360mΩ
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	順方向電圧 Vf	1.2V
	動作温度 Min	-55°C
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	30nC
	最大ゲートソース電圧Vgs	±25 V
	最大許容損失Pd	25W
	動作温度 Max	150°C
	幅	4.6 mm
	規格 / 承認	No
	高さ	16.4mm
	長さ	10.4mm
	自動車規格	なし

	すべて選択
	ブランド STMicroelectronics
	プロダクトタイプ MOSFET
	チャンネルタイプタイプN
	最大連続ドレイン電流Id 11A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 600V
	シリーズ MDmesh
	パッケージ型式 TO-220FP
	取付タイプスルーホール
	ピン数 3
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 360mΩ
	チャンネルモードエンハンスメント型
	順方向電圧 Vf 1.2V
	動作温度 Min -55°C
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 30nC
	最大ゲートソース電圧Vgs ±25 V
	最大許容損失Pd 25W
	動作温度 Max 150°C
	幅 4.6 mm
	規格 / 承認 No
	高さ 16.4mm
	長さ 10.4mm
	自動車規格なし

TO-220FPパッケージのNチャンネル600 V、280 mΩ(標準)、11 A MDmesh IIパワーMOSFET

これらのデバイスは、第2世代のMDmesh技術を使用して開発されたNチャンネルパワーMOSFETです。これらの革新的なパワーMOSFETは、同社のストリップレイアウトに垂直構造を組み合わせて、世界で最も低いオン抵抗とゲート充電を実現しています。このため、最も要求の厳しい高効率コンバータに適しています。

すべての機能

100 %アバランシェテスト済み

低入力静電容量及びゲート充電

低ゲート入力抵抗

STMicroelectronics MOSFET, タイプNチャンネル 600 V, 11 A エンハンスメント型, スルーホール, 3-Pin パッケージTO-220FP, STF13NM60N

TO-220FPパッケージのNチャンネル600 V、280 mΩ(標準)、11 A MDmesh IIパワーMOSFET

すべての機能

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。

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