STMicroelectronics MOSFET, タイプNチャンネル 100 V, 80 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-252

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1 リール(1リール2500個入り) 小計：*

￥544,225.00

(税抜)

￥598,650.00

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
一時的に在庫切れ
  • 本日発注の場合は 2026年8月31日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個
単価
購入単位毎合計*
2500 - 2500￥217.69￥544,225
5000 - 22500￥214.489￥536,223
25000 - 35000￥211.288￥528,220
37500 - 47500￥208.086￥520,215
50000 +￥204.885￥512,213

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。

RS品番:
103-2005
メーカー型番:
STD100N10F7
メーカー/ブランド名:
STMicroelectronics
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

STMicroelectronics

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

80A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

100V

シリーズ

STripFET H7

パッケージ型式

TO-252

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

8mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

120W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

61nC

順方向電圧 Vf

1.2V

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

No

高さ

2.4mm

長さ

6.6mm

幅

6.2 mm

自動車規格

なし

STマイクロエレクトロニクス N チャンネル STripFET ™ H7 シリーズ Power MOSFET


幅広い耐圧範囲を持つSTripFET™ MOSFETは、超低ゲート電荷、低オン抵抗を実現ます。

MOSFETトランジスタ、STMicroelectronics


関連ページ