STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET100 V 80 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピン
- RS品番:
- 103-2005
- メーカー型番:
- STD100N10F7
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
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単価： 購入単位は2500 個
￥244.056
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￥268.462
(税込)
個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 2500 - 2500 | ￥244.056 | ￥610,140.00 |
| 5000 - 22500 | ￥236.771 | ￥591,927.50 |
| 25000 - 35000 | ￥224.144 | ￥560,360.00 |
| 37500 - 47500 | ￥217.83 | ￥544,575.00 |
| 50000 + | ￥211.516 | ￥528,790.00 |
* 購入単位ごとの価格
- RS品番:
- 103-2005
- メーカー型番:
- STD100N10F7
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
その他
詳細情報
STマイクロエレクトロニクス N チャンネル STripFET ™ H7 シリーズ Power MOSFET
幅広い耐圧範囲を持つSTripFET™ MOSFETは、超低ゲート電荷、低オン抵抗を実現ます。
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
MOSFETトランジスタ、STMicroelectronics
仕様
特性 | |
|---|---|
| チャンネルタイプ | N |
| 最大連続ドレイン電流 | 80 A |
| 最大ドレイン-ソース間電圧 | 100 V |
| シリーズ | STripFET H7 |
| パッケージタイプ | DPAK (TO-252) |
| 実装タイプ | 表面実装 |
| ピン数 | 3 |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗 | 8 mΩ |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 |
| 最大ゲートしきい値電圧 | 4V |
| 最低ゲートしきい値電圧 | 2V |
| 最大パワー消費 | 120 W |
| トランジスタ構成 | シングル |
| 最大ゲート-ソース間電圧 | -20 V, +20 V |
| トランジスタ素材 | Si |
| 標準ゲートチャージ @ Vgs | 61 nC @ 10 V |
| 長さ | 6.6mm |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 |
| 幅 | 6.2mm |
| 動作温度 Max | +175 °C |
| 高さ | 2.4mm |
| 動作温度 Min | -55 °C |
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