2 onsemi MOSFET 分離式, タイプP, タイプNチャンネル, 4.6 A, 表面 20 V, 6-Pin エンハンスメント型 パッケージWDFN

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RS品番:
121-6306
メーカー型番:
NTLJD3119CTBG
メーカー/ブランド名:
onsemi
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ブランド

onsemi

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプP, タイプN

最大連続ドレイン電流Id

4.6A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

20V

シリーズ

μCool

パッケージ型式

WDFN

取付タイプ

表面

ピン数

6

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

200mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

0.69V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

3.7nC

最大ゲートソース電圧Vgs

±8 V

最大許容損失Pd

2.3W

トランジスタ構成

分離式

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

No

長さ

2mm

高さ

0.75mm

幅

2 mm

1チップ当たりのエレメント数

2

自動車規格

なし

COO（原産国）:
MY

ON Semiconductor デュアルN/PチャネルMOSFET


NTJD1155Lは、デュアルチャネルのMOSFETです。PチャンネルとNチャンネルを1つのパッケージに統合し、低制御信号、低バッテリ電圧、高負荷電流に優れています。NチャンネルはESD保護機能を内蔵しており、1.5Vの低電圧で駆動することができます。Pチャンネルは負荷切替用途で使用するように設計されています。また、PチャンネルはON Semiのトレンチテクノロジーを採用して設計されています。

MOSFETトランジスタ、ON Semiconductor


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