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2 onsemi MOSFET 分離式, タイプNチャンネル, 2.5 A, 表面 30 V, 6-Pin エンハンスメント型, NTLJD4116NT1G パッケージWDFN

RS Stock No.:: 790-5268
Mfr. Part No.:: NTLJD4116NT1G
Brand:: onsemi

2 onsemi MOSFET 分離式, タイプNチャンネル, 2.5 A, 表面 30 V, 6-Pin エンハンスメント型, NTLJD4116NT1G パッケージWDFN

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1400 - 1890	￥77.50	￥775
1900 - 2390	￥67.50	￥675
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RS Stock No.:: 790-5268
Mfr. Part No.:: NTLJD4116NT1G
Brand:: onsemi

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Select all	Attribute	Value
	ブランド	onsemi
	チャンネルタイプ	タイプN
	プロダクトタイプ	MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id	2.5A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	30V
	パッケージ型式	WDFN
	取付タイプ	表面
	ピン数	6
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	250mΩ
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	動作温度 Min	150°C
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	5.4nC
	順方向電圧 Vf	0.78V
	最大ゲートソース電圧Vgs	8 V
	最大許容損失Pd	2.3W
	トランジスタ構成	分離式
	動作温度 Max	-55°C
	長さ	2mm
	規格 / 承認	No
	高さ	0.75mm
	幅	2 mm
	1チップ当たりのエレメント数	2
	自動車規格	なし

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	ブランド onsemi
	チャンネルタイプタイプN
	プロダクトタイプ MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id 2.5A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 30V
	パッケージ型式 WDFN
	取付タイプ表面
	ピン数 6
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 250mΩ
	チャンネルモードエンハンスメント型
	動作温度 Min 150°C
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 5.4nC
	順方向電圧 Vf 0.78V
	最大ゲートソース電圧Vgs 8 V
	最大許容損失Pd 2.3W
	トランジスタ構成分離式
	動作温度 Max -55°C
	長さ 2mm
	規格 / 承認 No
	高さ 0.75mm
	幅 2 mm
	1チップ当たりのエレメント数 2
	自動車規格なし

2 onsemi MOSFET 分離式, タイプNチャンネル, 2.5 A, 表面 30 V, 6-Pin エンハンスメント型, NTLJD4116NT1G パッケージWDFN

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