2 onsemi MOSFET 分離式, タイプNチャンネル, 2.5 A, 表面 30 V, 6-Pin エンハンスメント型, NTLJD4116NT1G パッケージWDFN
- RS品番:
- 790-5268
- メーカー型番:
- NTLJD4116NT1G
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
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- onsemi
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | onsemi | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 2.5A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 30V | |
| パッケージ型式 | WDFN | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 6 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 250mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大許容損失Pd | 2.3W | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 5.4nC | |
| 動作温度 Min | 150°C | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 8 V | |
| 順方向電圧 Vf | 0.78V | |
| トランジスタ構成 | 分離式 | |
| 動作温度 Max | -55°C | |
| 高さ | 0.75mm | |
| 幅 | 2 mm | |
| 長さ | 2mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 2 | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド onsemi | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 2.5A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 30V | ||
パッケージ型式 WDFN | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 6 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 250mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大許容損失Pd 2.3W | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 5.4nC | ||
動作温度 Min 150°C | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 8 V | ||
順方向電圧 Vf 0.78V | ||
トランジスタ構成 分離式 | ||
動作温度 Max -55°C | ||
高さ 0.75mm | ||
幅 2 mm | ||
長さ 2mm | ||
規格 / 承認 No | ||
1チップ当たりのエレメント数 2 | ||
自動車規格 なし | ||
デュアルNチャンネルMOSFET、ON Semiconductor
MOSFETトランジスタ、ON Semiconductor
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