2 onsemi MOSFET 分離式, タイプP, タイプNチャンネル, 4.6 A, 表面 20 V, 6-Pin エンハンスメント型, NTLJD3119CTBG パッケージWDFN
- RS品番:
- 780-0655
- メーカー型番:
- NTLJD3119CTBG
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
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- RS品番:
- 780-0655
- メーカー型番:
- NTLJD3119CTBG
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | onsemi | |
| チャンネルタイプ | タイプP, タイプN | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 4.6A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 20V | |
| シリーズ | μCool | |
| パッケージ型式 | WDFN | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 6 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 200mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | ±8 V | |
| 最大許容損失Pd | 2.3W | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 3.7nC | |
| 順方向電圧 Vf | 0.69V | |
| トランジスタ構成 | 分離式 | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 長さ | 2mm | |
| 高さ | 0.75mm | |
| 幅 | 2 mm | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 2 | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド onsemi | ||
チャンネルタイプ タイプP, タイプN | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 4.6A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 20V | ||
シリーズ μCool | ||
パッケージ型式 WDFN | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 6 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 200mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大ゲートソース電圧Vgs ±8 V | ||
最大許容損失Pd 2.3W | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 3.7nC | ||
順方向電圧 Vf 0.69V | ||
トランジスタ構成 分離式 | ||
動作温度 Max 150°C | ||
規格 / 承認 No | ||
長さ 2mm | ||
高さ 0.75mm | ||
幅 2 mm | ||
1チップ当たりのエレメント数 2 | ||
自動車規格 なし | ||
ON Semiconductor デュアルN/PチャネルMOSFET
NTJD1155Lは、デュアルチャネルのMOSFETです。PチャンネルとNチャンネルを1つのパッケージに統合し、低制御信号、低バッテリ電圧、高負荷電流に優れています。NチャンネルはESD保護機能を内蔵しており、1.5Vの低電圧で駆動することができます。Pチャンネルは負荷切替用途で使用するように設計されています。また、PチャンネルはON Semiのトレンチテクノロジーを採用して設計されています。
MOSFETトランジスタ、ON Semiconductor
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