2 DiodesZetex パワーMOSFET 分離式, タイプN, タイプPチャンネル, 3.4 A, 表面 30 V, 6-Pin エンハンスメント型, DMG6602SVT-7 パッケージTSOT

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梱包形態
RS品番:
822-2532
メーカー型番:
DMG6602SVT-7
メーカー/ブランド名:
DiodesZetex
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ブランド

DiodesZetex

チャンネルタイプ

タイプN, タイプP

プロダクトタイプ

パワーMOSFET

最大連続ドレイン電流Id

3.4A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

30V

パッケージ型式

TSOT

取付タイプ

表面

ピン数

6

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

140mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大許容損失Pd

1.27W

動作温度 Min

150°C

順方向電圧 Vf

0.8V

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

4nC

動作温度 Max

-55°C

トランジスタ構成

分離式

長さ

2.9mm

幅

1.6 mm

高さ

0.9mm

規格 / 承認

J-STD-020, RoHS, MIL-STD-202, UL 94V-0, AEC-Q101

1チップ当たりのエレメント数

2

自動車規格

AEC-Q101

デュアルN/PチャンネルMOSFET、Diodes Inc.


MOSFETトランジスタ、Diodes Inc.


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