Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 600 V, 25 A エンハンスメント型, 表面, 4-Pin パッケージPowerPAK, SIHH26N60E-T1-GE3

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梱包形態
RS品番:
124-2251
メーカー型番:
SIHH26N60E-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

25A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

600V

パッケージ型式

PowerPAK

シリーズ

E

取付タイプ

表面

ピン数

4

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

135mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートソース電圧Vgs

30 V

最大許容損失Pd

202W

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

77nC

順方向電圧 Vf

1.2V

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

No

長さ

8.1mm

幅

8.1 mm

高さ

1mm

自動車規格

なし

COO（原産国）:
TW

NチャンネルMOSFET、Eシリーズ、低性能指数、Vishay Semiconductor


VishayのEシリーズパワーMOSFETは、最大オン抵抗が極めて低く、低性能指数と高速スイッチングが特長の高電圧トランジスタです。 幅広い定格電流の製品が用意されています。 主な用途には、サーバー及び通信電源、LED照明、フライバックコンバータ、力率補正(PFC)、スイッチモード電源(SMPS)などがあります。

特長


低性能指数(FOM): RDS(on) x Qg

低入力静電容量(Ciss)

低オン抵抗(RDS(on))

超低ゲート電荷(Qg)

高速スイッチング

スイッチング損失及び導電損失を低減

MOSFETトランジスタ、Vishay Semiconductor


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