Infineon MOSFET, Nチャンネル, 100 V, 1.2 A, 800 mΩ, 4.5 nC, 4ピン, パッケージ：SOT-223
- RS品番:
- 124-8756
- メーカー型番:
- BSP296NH6327XTSA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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- RS品番:
- 124-8756
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- BSP296NH6327XTSA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| チャンネルタイプ | N | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 1.2A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 100V | |
| パッケージ型式 | SOT-223 | |
| シリーズ | OptiMOS | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 4 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 800mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大許容損失Pd | 1.8W | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 4.5nC | |
| 順方向電圧 Vf | 0.85V | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | -20V, +20V | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 高さ | 1.6mm | |
| 幅 | 3.5mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 長さ | 6.5mm | |
| 自動車規格 | AEC-Q101 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
チャンネルタイプ N | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 1.2A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 100V | ||
パッケージ型式 SOT-223 | ||
シリーズ OptiMOS | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 4 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 800mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大許容損失Pd 1.8W | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 4.5nC | ||
順方向電圧 Vf 0.85V | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大ゲートソース電圧Vgs -20V, +20V | ||
動作温度 Max 150°C | ||
高さ 1.6mm | ||
幅 3.5mm | ||
規格 / 承認 No | ||
長さ 6.5mm | ||
自動車規格 AEC-Q101 | ||
- COO（原産国）:
- CN
インフィニオン OptiMOSシリーズMOSFET、最大ドレイン-ソース間電圧 100V、最大連続ドレイン電流 1.2A - BSP296NH6327XTSA1
このMOSFETは、車載および産業用途でのスイッチングと制御向けに設計された表面実装パワートランジスタです。中程度の電流と高電圧への対応が求められる用途に適したN‑チャネルエンハンスメント型デバイスで、広い周囲温度範囲に対応し、厳しい環境でも使用できます。
特長:
• ドレイン-ソース間定格電圧 100V により、高電圧スイッチングに対応
• 連続ドレイン電流 1.2A により中程度の負荷電流に対応
• 800 mΩのオン抵抗（RDS(on)）により、負荷時の導通損失を低減
• 標準ゲート電荷 4.5nC により高速スイッチングが可能
• 最大許容損失 1.8W により小型実装での熱負荷に対応
• ゲート-ソース間許容電圧 ±20V により一般的なゲート駆動電圧に対応
• 連続ドレイン電流 1.2A により中程度の負荷電流に対応
• 800 mΩのオン抵抗（RDS(on)）により、負荷時の導通損失を低減
• 標準ゲート電荷 4.5nC により高速スイッチングが可能
• 最大許容損失 1.8W により小型実装での熱負荷に対応
• ゲート-ソース間許容電圧 ±20V により一般的なゲート駆動電圧に対応
用途
• AEC‑Q101認定を必要とする車載制御モジュールに最適
• 小型電源のDC/DCコンバータ段に最適
• 補助システムの低電力モータドライバに使用
• バッテリ管理および電力配分用途に使用可能
• 携帯機器および組み込み機器のスイッチ‑モード制御に有用
• 小型電源のDC/DCコンバータ段に最適
• 補助システムの低電力モータドライバに使用
• バッテリ管理および電力配分用途に使用可能
• 携帯機器および組み込み機器のスイッチ‑モード制御に有用
基板配置設計では、どのパッケージタイプを想定する必要がありますか？
4ピンのSOT‑223表面‑実装パッケージで提供され、片面‑熱伝導と、スルー‑ボードフットプリントへの容易な実装が可能です。
高温時の熱性能はどのように変化しますか？
このデバイスは -55°C～150°C の広い温度範囲で動作し、連続動作時の過度な熱負荷を防ぐため、許容損失は 1.8W に制限されています。
設計時にはどのようなゲート‑駆動条件を守る必要がありますか？
最大許容ゲート‑ソース間電圧は20Vのため、ゲート酸化膜を保護するには、ゲートドライバがこの値を超えないように設定する必要があります。
高速PWM用途でスイッチング効率に最も影響するパラメータは何ですか？
標準ゲート電荷 4.5nC は、高速な状態切り替え時のスイッチング損失と駆動‑エネルギー要件に直接影響します。
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