Infineon MOSFET, タイプPチャンネル, 100 V, 1 A, 800 mΩ, 12.4 nC, 4ピン, パッケージ：SOT-223
- RS品番:
- 826-9279
- メーカー型番:
- BSP322PH6327XTSA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
ボリュームディスカウント対象商品
一括購入価格オプションを表示50個小計, 50パック：*
￥7,245
(税抜)
￥7,969
(税込)
3,000円を超える注文については、送料無料
一時的に在庫切れ
- 700 は海外在庫あり
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 50 - 200 | ￥144.90 | ￥7,245 |
| 250 - 450 | ￥128.02 | ￥6,401 |
| 500 - 600 | ￥109.96 | ￥5,498 |
| 650 - 750 | ￥92.98 | ￥4,649 |
| 800 + | ￥76.08 | ￥3,804 |
* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。
- RS品番:
- 826-9279
- メーカー型番:
- BSP322PH6327XTSA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプP | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 1A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 100V | |
| パッケージ型式 | SOT-223 | |
| シリーズ | SIPMOS | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 4 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 800mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大許容損失Pd | 1.8W | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 12.4nC | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | -20V, +20V | |
| 順方向電圧 Vf | 0.84V | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 長さ | 6.5mm | |
| 高さ | 1.6mm | |
| 幅 | 3.5mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 自動車規格 | AEC-Q101 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプP | ||
最大連続ドレイン電流Id 1A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 100V | ||
パッケージ型式 SOT-223 | ||
シリーズ SIPMOS | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 4 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 800mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大許容損失Pd 1.8W | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 12.4nC | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大ゲートソース電圧Vgs -20V, +20V | ||
順方向電圧 Vf 0.84V | ||
動作温度 Max 150°C | ||
長さ 6.5mm | ||
高さ 1.6mm | ||
幅 3.5mm | ||
規格 / 承認 No | ||
自動車規格 AEC-Q101 | ||
インフィニオン SIPMOSシリーズMOSFET、最大ドレイン-ソース間電圧 100V、最大電力損失 1.8W - BSP322PH6327XTSA1
このMOSFETは、過酷な環境での表面実装電力スイッチング用に設計されたPチャンネルエンハンスメントデバイスです。幅広い温度範囲で動作し、コンパクトなパッケージ形式と自動車グレードの堅牢性が求められる高電圧Pチャンネルスイッチング作業に適しています。
特長：
• 100Vのドレイン電圧により、高電圧スイッチング機能を実現
• 800mΩのオン抵抗（RDS(on)）により、負荷時の導通損失を最小化
• 1Aの連続ドレイン電流により、低～中程度の電流をサポート
• 最大1.8Wの消費電力により、安定した電力処理能力を実現
• 12.4nCの標準ゲート電荷により、ゲートドライブの要件を予測可能
• 最大ゲート-ソース電圧20Vにより安全なドライブマージンを維持
• 800mΩのオン抵抗（RDS(on)）により、負荷時の導通損失を最小化
• 1Aの連続ドレイン電流により、低～中程度の電流をサポート
• 最大1.8Wの消費電力により、安定した電力処理能力を実現
• 12.4nCの標準ゲート電荷により、ゲートドライブの要件を予測可能
• 最大ゲート-ソース電圧20Vにより安全なドライブマージンを維持
用途
• 自動車用電子モジュールにおけるロードスイッチに最適
• 高電圧極性保護回路に最適
• バッテリー駆動システムにおける電源管理に使用
• DCレールにおける逆電流防止に使用可能
• コンパクトな表面実装電力変換段階に最適
• 高電圧極性保護回路に最適
• バッテリー駆動システムにおける電源管理に使用
• DCレールにおける逆電流防止に使用可能
• コンパクトな表面実装電力変換段階に最適
現場でどの程度の温度範囲に耐えることができますか？
-55°C～150°Cで動作するように設計されており、過酷な熱環境に適しています。
設計者はいくつのピン数と取付方式を想定すべきですか？
このデバイスは、4ピンを備え、SOT-223フットプリントで表面実装組立用に設計されています。
スイッチング速度要件を決定する電気的特性は何ですか？
12.4nCのゲート電荷は、ゲートで必要な電荷量を示し、ゲートドライバおよびドライブタイミングの選択を示します。
レイアウト計画において、どのような機械的エンベロープの寸法が重要ですか？
このコンポーネントの寸法は6.5 x 3.5 x 1.6 mmで、フットプリントとクリアランスを考慮するのに有用です。
関連ページ
- Infineon MOSFET 100 V 800 mΩ 4ピン, パッケージ：SOT-223
- Infineon MOSFET 60 V 800 mΩ 4ピン, パッケージ：SOT-223
- Infineon MOSFET 250 V 20 Ω 4ピン, パッケージ：SOT-223
- Infineon MOSFET 100 V 800 mΩ 4ピン, パッケージ：SOT-223
- Infineon MOSFET 250 V 5 Ω 4ピン, パッケージ：SOT-223
- Infineon MOSFET 60 V 300 mΩ 4ピン, パッケージ：SOT-223
- Infineon MOSFET 60 V 300 mΩ 4ピン, パッケージ：SOT-223
- Infineon MOSFET 60 V 130 mΩ 4ピン, パッケージ：SOT-223