Infineon MOSFET, Nチャンネル, 60 V, 99 A, 8.3 mΩ, 49 nC, 3ピン, パッケージ：TO-252
- RS品番:
- 124-8776
- メーカー型番:
- IRLR3636TRPBF
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
ボリュームディスカウント対象商品
一括購入価格オプションを表示2000個小計, 2000のリール巻き：*
￥290,256
(税抜)
￥319,282
(税込)
3,000円を超える注文については、送料無料
一時的に在庫切れ
- 本日発注の場合は 2027年4月15日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 2000 - 2000 | ￥145.128 | ￥290,256 |
| 4000 - 18000 | ￥144.722 | ￥289,444 |
| 20000 - 28000 | ￥142.856 | ￥285,712 |
| 30000 - 38000 | ￥140.985 | ￥281,970 |
| 40000 + | ￥139.107 | ￥278,214 |
* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。
- RS品番:
- 124-8776
- メーカー型番:
- IRLR3636TRPBF
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | N | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 99A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 60V | |
| パッケージ型式 | TO-252 | |
| シリーズ | HEXFET | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 8.3mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | -16V, +16V | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大許容損失Pd | 143W | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 49nC | |
| 順方向電圧 Vf | 1.3V | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 高さ | 2.39mm | |
| 幅 | 6.22mm | |
| 長さ | 6.73mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ N | ||
最大連続ドレイン電流Id 99A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 60V | ||
パッケージ型式 TO-252 | ||
シリーズ HEXFET | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 8.3mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大ゲートソース電圧Vgs -16V, +16V | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大許容損失Pd 143W | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 49nC | ||
順方向電圧 Vf 1.3V | ||
動作温度 Max 175°C | ||
規格 / 承認 No | ||
高さ 2.39mm | ||
幅 6.22mm | ||
長さ 6.73mm | ||
自動車規格 なし | ||
- COO（原産国）:
- CN
インフィニオン HEXFETシリーズMOSFET、最大ドレイン-ソース間電圧 60V、最大連続ドレイン電流 99A - IRLR3636TRPBF
インフィニオンのこのNチャネルエンハンスメント型MOSFETは、表面実装回路での大電流スイッチング向けに設計されたパワートランジスタです。広い温度範囲で動作し、高いドレイン-ソース間電圧への対応と大きな連続電流容量が求められる用途に適しています。このデバイスは、基板への省スペース実装に適したTO-252パッケージを採用し、一般的なゲート駆動電圧に対応するゲート定格を備えています。
特長:
• 最大連続ドレイン電流 99A により大電流スイッチングに対応
• 最大ドレイン-ソース間電圧 60V により中電圧システムに対応
• 8.3mΩ の超低Rds(on)により導通損失を低減
• 最大許容損失 143W により高出力での連続動作に対応
• 標準ゲート電荷 49nC によりスイッチング特性の予測が容易
• 順方向電圧 1.3V により負荷時の電圧降下を最小限に抑制
• 最大ドレイン-ソース間電圧 60V により中電圧システムに対応
• 8.3mΩ の超低Rds(on)により導通損失を低減
• 最大許容損失 143W により高出力での連続動作に対応
• 標準ゲート電荷 49nC によりスイッチング特性の予測が容易
• 順方向電圧 1.3V により負荷時の電圧降下を最小限に抑制
用途
• 電動アクチュエータのモータドライバ段に最適
• 大電流DC-DCコンバーターおよびレギュレーターに最適
• バッテリ管理および電力配分モジュールに使用
• 電源回路の同期整流に使用可能
• 可変速ドライブの産業用スイッチングに最適
• 大電流DC-DCコンバーターおよびレギュレーターに最適
• バッテリ管理および電力配分モジュールに使用
• 電源回路の同期整流に使用可能
• 可変速ドライブの産業用スイッチングに最適
設計時に守る必要があるゲート電圧の制限値はどのくらいですか？
ゲート酸化膜へのストレスを避け、確実なスイッチングを確保するため、ゲート-ソース間定格電圧 16V を超えて駆動しないでください。
動作時にどのような温度条件に耐えられますか？
このトランジスタは -55°C～175°C で動作し、適切な熱管理を行うことで厳しい温度環境でも使用できます。
このパッケージは基板レイアウトや実装にどのような影響を与えますか？
TO-252表面実装パッケージは小型フットプリントとプリント基板への熱経路を備え、低インダクタンス接続と効率的な熱伝達を可能にします。
チャネルタイプはスイッチング動作にどのような影響を与えますか？
Nチャネルエンハンスメント型デバイスのため、オンにするにはソースに対して正のゲート電圧を印加する必要があり、適切に駆動することで低いRds(on)が得られます。
関連ページ
- Infineon MOSFET 60 V 8.3 mΩ 3ピン, パッケージ：TO-252
- Infineon MOSFET 60 V 8.3 mΩ パッケージ：TO-252
- Infineon MOSFET 55 V 43 mΩ 3ピン, パッケージ：TO-252
- Infineon MOSFET 30 V 4 mΩ 3ピン, パッケージ：TO-252
- Infineon MOSFET 80 V 30 mΩ 3ピン, パッケージ：TO-252
- Infineon MOSFET 55 V 65 mΩ 3ピン, パッケージ：TO-252
- Infineon MOSFET 100 V 155 mΩ 3ピン, パッケージ：TO-252
- Infineon MOSFET 30 V 65 mΩ 3ピン, パッケージ：TO-252