Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 60 V, 99 A パッケージTO-252

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RS品番:
257-9456
メーカー型番:
IRLR3636TRLPBF
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

99A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

60V

パッケージ型式

TO-252

シリーズ

HEXFET

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

8.3mΩ

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

16 V

順方向電圧 Vf

1.3V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

33nC

最大許容損失Pd

143W

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

なし

Infineon IRLRシリーズは、D-Pakパッケージに収められた60 VシングルNチャンネルパワーモスフェットです。強力なIRFETパワーmosfetファミリは、低RDS(オン)及び高電流性能に最適化されています。このデバイスは、性能と堅牢性を必要とする低周波数用途に最適です。この包括的なポートフォリオは、DCモータ、バッテリ管理システム、インバータ、DC-DCコンバータなどの幅広い用途に対応しています。

ディストリビューションパートナーからの幅広い利用可能性に最適化

JEDEC規格に準拠した製品認定

業界標準の表面実装パッケージ

100 kHz未満のスイッチング用途向けに最適化されたシリコン

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