Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 55 V, 210 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-263

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RS品番:
217-2597
メーカー型番:
IRF3805STRLPBF
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

210A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

55V

パッケージ型式

TO-263

シリーズ

HEXFET

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

3.3mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

順方向電圧 Vf

1.2V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

190nC

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

300W

動作温度 Max

175°C

長さ

6.5mm

高さ

2.3mm

幅

6.22 mm

規格 / 承認

No

自動車規格

なし

Infineon HEXFET ® パワー MOSFET は、最新のプロセス技術を活かし、シリコン面積当たりのオン抵抗を極めて低く抑えています。他にも、ジャンクション動作温度175 °C、高速スイッチング、向上した反復アバランシェ定格といった特長があります。こうした特長が相まって、幅広い用途に使用できる、効率と信頼性の極めて高いデバイスとなっています。

先進のプロセス技術

超低ON抵抗

動作温度: 175 °C

高速スイッチング

反復アバランシェはTjmaxまで許容

鉛フリー

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