Infineon MOSFET, タイプPチャンネル, 60 V, 80 A, 23 mΩ, 115 nC, 3ピン, パッケージ:TO-220

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RS品番:
124-8828
メーカー型番:
SPP80P06PHXKSA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプP

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

80A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

60V

パッケージ型式

TO-220

シリーズ

SIPMOS

取付タイプ

スルーホール

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

23mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大許容損失Pd

340W

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

115nC

最大ゲートソース電圧Vgs

-20V, +20V

順方向電圧 Vf

-1.6V

動作温度 Max

175°C

長さ

10.36mm

幅

4.57mm

規格 / 承認

No

高さ

15.95mm

自動車規格

なし

COO(原産国):
MY

インフィニオン SIPMOSシリーズMOSFET、最大ドレイン-ソース間電圧 60V、最大連続ドレイン電流 80A - SPP80P06PHXKSA1


このMOSFETは、大電流・高温用途向けに設計されたパワースイッチングデバイスです。TO-220スルーホールパッケージを採用したPチャネルエンハンスメント型トランジスタで、高い耐熱性が求められる電力変換およびスイッチング用途に適しています。この部品は、効率的な導通を可能にするゲート駆動制御に対応し、大きな連続ドレイン電流と高い動作温度が求められるシステム向けです。

特長:


• ドレイン定格電圧 60V により中電圧スイッチングに対応
• 連続ドレイン電流 80A により大電流負荷に対応
• 23mΩ の低Rds(on)により導通損失を最小限に抑制
• 標準ゲート電荷 115nC によりスイッチングと駆動エネルギーのバランスを確保
• 最大許容損失 340W により大きな熱負荷に対応
• Vgs ±20V のゲート許容電圧により、ゲート駆動電圧のマージンを柔軟に設定可能

用途


• 電源の高電流DC-DCコンバータに最適
• サーバー電源レールの同期整流に使用
• Pチャネルスイッチングを必要とするモータ駆動段に最適
• バッテリ保護および負荷スイッチ回路に使用可能
• 175°C までの熱負荷の高い環境に最適

動作時にどの程度の温度範囲に耐えられますか?


このデバイスの定格動作温度範囲は -55°C~175°C で、高温システムで使用できます。

最大許容損失付近で動作させる場合、どのように熱管理する必要がありますか?


340W の上限に対応するには、TO-220のタブに適切なヒートシンクを取り付け、接合部温度を下げるために十分なエアフローを確保してください。

ゲート電荷値から、ゲート駆動についてどのような点を考慮する必要がありますか?


標準ゲート電荷が 115nC のため、ドライバは必要なスイッチング速度を得るのに十分な電流を供給するとともに、駆動エネルギーの増加やスイッチング損失を考慮する必要があります。

デバイスの極性は回路構成の選択にどのような影響を与えますか?


Pチャネルエンハンスメント型デバイスのため、通常は電源経路のハイサイドで使用され、オンにするにはゲート電圧をソース電圧より低くします。

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