型番

Infineon MOSFET, タイプPチャンネル 60 V, -18.7 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージPG-TO252-3

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仕様

データシート

その他

詳細情報

製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	インフィニオン
	チャンネルタイプ	タイプP
	プロダクトタイプ	MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id	-18.7A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	60V
	シリーズ	SPP18P06P-H
	パッケージ型式	PG-TO252-3
	取付タイプ	表面
	ピン数	3
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	0.13Ω
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	動作温度 Min	-55°C
	順方向電圧 Vf	1.33V
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	28nC
	最大ゲートソース電圧Vgs	8 V
	最大許容損失Pd	81.1W
	動作温度 Max	175°C
	規格 / 承認	Qualified according to AEC Q101, Halogen Free according to IEC61249-2-21, RoHS
	長さ	40mm
	高さ	1.5mm
	幅	40 mm
	自動車規格	AEC-Q101

	すべて選択
	ブランドインフィニオン
	チャンネルタイプタイプP
	プロダクトタイプ MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id -18.7A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 60V
	シリーズ SPP18P06P-H
	パッケージ型式 PG-TO252-3
	取付タイプ表面
	ピン数 3
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.13Ω
	チャンネルモードエンハンスメント型
	動作温度 Min -55°C
	順方向電圧 Vf 1.33V
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 28nC
	最大ゲートソース電圧Vgs 8 V
	最大許容損失Pd 81.1W
	動作温度 Max 175°C
	規格 / 承認 Qualified according to AEC Q101, Halogen Free according to IEC61249-2-21, RoHS
	長さ 40mm
	高さ 1.5mm
	幅 40 mm
	自動車規格 AEC-Q101

Infineon MOSFETは、Pチャンネル小型信号MOSFETです。これらの製品は、オンステート抵抗や特性値等、電力系統設計の主要仕様において、常に最高の品質と性能の要求を満たしています。IEC61249 2 21に準拠し、ハロゲンフリーです。

RoHS準拠

アバランシェ定格

強化モード

鉛フリーリード仕上げ

AEC Q101に準拠した認定

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