Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 60 V, 86 A エンハンスメント型, 表面, 4-Pin パッケージMN, IRF6648TRPBF

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梱包形態
RS品番:
130-0948
メーカー型番:
IRF6648TRPBF
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

86A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

60V

パッケージ型式

MN

シリーズ

DirectFET, HEXFET

取付タイプ

表面

ピン数

4

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

7mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大許容損失Pd

89W

順方向電圧 Vf

1.3V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

36nC

動作温度 Min

-40°C

動作温度 Max

150°C

高さ

0.5mm

規格 / 承認

No

長さ

6.35mm

自動車規格

なし

DirectFET®パワーMOSFET、Infineon


DirectFET®パワーパッケージは、表面実装のパワーMOSFETパッケージング技術を採用しています。 DirectFET® MOSFETは、エネルギー損失量を削減しながら、高度なスイッチング用途向けに設計するフットプリントを縮小するソリューションです。

該当するフットプリントに収納された業界最低のオン抵抗

非常に低いパッケージ抵抗で導電損失を最小化

非常に効率的な両面冷却により、電力密度、コスト及び信頼性が大幅に改善されます。

わずか0.7 mmの低プロファイル

MOSFETトランジスタ、Infineon


Infineonでは、CoolMOS、OptiMOS、StrongIRFETの各ファミリをはじめ、MOSFETデバイスの幅広く包括的な製品ラインを取り揃えています。効率、電力密度、及びコスト効果を高めるためにクラス最高の性能を実現しています。高い品質と強化された保護機能が求められる設計では、AEC-Q101車載用規格に適合するMOSFETが活用されます。

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