Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 80 V, 68 A, 表面 パッケージWDSON
- RS品番:
- 258-3962
- メーカー型番:
- IRF6646TRPBF
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 4800 - 4800 | ￥122.067 | ￥585,922 |
| 9600 - 43200 | ￥120.272 | ￥577,306 |
| 48000 - 67200 | ￥118.477 | ￥568,690 |
| 72000 - 91200 | ￥116.682 | ￥560,074 |
| 96000 + | ￥114.887 | ￥551,458 |
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- RS品番:
- 258-3962
- メーカー型番:
- IRF6646TRPBF
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 68A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 80V | |
| シリーズ | HEXFET | |
| パッケージ型式 | WDSON | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 9.5mΩ | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 36nC | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20 V | |
| 動作温度 Min | -40°C | |
| 最大許容損失Pd | 89W | |
| 順方向電圧 Vf | 1.3V | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 68A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 80V | ||
シリーズ HEXFET | ||
パッケージ型式 WDSON | ||
取付タイプ 表面 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 9.5mΩ | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 36nC | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20 V | ||
動作温度 Min -40°C | ||
最大許容損失Pd 89W | ||
順方向電圧 Vf 1.3V | ||
動作温度 Max 150°C | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
自動車規格 なし | ||
Infineon HEXFETパワーMOSFETシリコン技術は、高度なDirectFETTMパッケージを備えているため、SO-8のフットプリントとわずか0.7 mmのプロファイルのパッケージで最も低いオンステート抵抗を実現します。DirectFETパッケージは、電源用途、基板組み立て機器、蒸気相、赤外線、又は対流はんだ付け技術で使用される既存のレイアウトジオメトリと互換性があります。製造方法及びプロセスについては、アプリケーションノートAN-1035を参照してください。
アプリケーション特有のMOSFET
高性能絶縁コンバータに最適
一次スイッチソケット
同期整流用に最適化
低導電損失
高いCdv/dt耐性
低プロファイル(<0.7 mm)
両面冷却に対応
既存の表面実装技術に対応