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    Toshiba Nチャンネル MOSFET650 V 9.3 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピン

    取扱終了
    RS品番:
    133-2805
    メーカー型番:
    TK9P65W,RQ(S
    メーカー/ブランド名:
    Toshiba

    COO(原産国):
    JP
    特性
    チャンネルタイプN
    最大連続ドレイン電流9.3 A
    最大ドレイン-ソース間電圧650 V
    パッケージタイプDPAK (TO-252)
    シリーズDTMOSIV
    実装タイプ表面実装
    ピン数3
    最大ドレイン-ソース間抵抗560 mΩ
    チャンネルモードエンハンスメント型
    最大ゲートしきい値電圧3.5V
    最低ゲートしきい値電圧2.5V
    最大パワー消費80 W
    トランジスタ構成シングル
    最大ゲート-ソース間電圧-30 V, +30 V
    標準ゲートチャージ @ Vgs20 nC @ 10 V
    長さ6.6mm
    トランジスタ素材Si
    1チップ当たりのエレメント数1
    動作温度 Max+150 °C
    6.1mm
    高さ2.3mm
    順方向ダイオード電圧1.7V

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