Vishay MOSFET, タイプPチャンネル 60 V, 90.9 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージSO-8, SIR5607DP-T1-RE3

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RS品番:
279-9950
メーカー型番:
SIR5607DP-T1-RE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

タイプP

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

90.9A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

60V

シリーズ

SiR

パッケージ型式

SO-8

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.007Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大許容損失Pd

104W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

112nC

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

±20 V

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

RoHS

長さ

5.15mm

自動車規格

なし

Vishay MOSFETはPチャンネルMOSFETで、トランジスタはシリコンと呼ばれる素材で構成されています。

TrenchFETパワーMOSFET

100 % Rg及びUISテスト済み

低電圧ドロップ

導電損失を軽減

完全鉛(鉛)フリーデバイス

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