Vishay MOSFET, タイプPチャンネル 20 V, 8 A エンハンスメント型, 表面, 6-Pin パッケージTSOP, SI3493DDV-T1-GE3
- RS品番:
- 134-9713
- メーカー型番:
- SI3493DDV-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
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|---|---|---|
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| 150 - 1350 | ￥22.76 | ￥569 |
| 1375 - 1725 | ￥20.68 | ￥517 |
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- RS品番:
- 134-9713
- メーカー型番:
- SI3493DDV-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| チャンネルタイプ | タイプP | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 8A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 20V | |
| パッケージ型式 | TSOP | |
| シリーズ | TrenchFET | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 6 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 51mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 34.8nC | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 8 V | |
| 最大許容損失Pd | 3.6W | |
| 順方向電圧 Vf | -1.2V | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 長さ | 3.1mm | |
| 幅 | 1.7 mm | |
| 高さ | 1mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
チャンネルタイプ タイプP | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 8A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 20V | ||
パッケージ型式 TSOP | ||
シリーズ TrenchFET | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 6 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 51mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 34.8nC | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 8 V | ||
最大許容損失Pd 3.6W | ||
順方向電圧 Vf -1.2V | ||
動作温度 Max 150°C | ||
規格 / 承認 No | ||
長さ 3.1mm | ||
幅 1.7 mm | ||
高さ 1mm | ||
自動車規格 なし | ||