Vishay パワーMOSFET, Nチャンネル, -20 V, -8 A, 0.024 Ω, 52.2 nC, 8ピン, パッケージ：PowerPAK
- RS品番:
- 851-500
- メーカー型番:
- SI3493DDV-T1-BE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
N
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- RS品番:
- 851-500
- メーカー型番:
- SI3493DDV-T1-BE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
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詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| プロダクトタイプ | パワーMOSFET | |
| チャンネルタイプ | N | |
| 最大連続ドレイン電流Id | -8A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | -20V | |
| シリーズ | SI34 | |
| パッケージ型式 | PowerPAK | |
| 取付タイプ | 表面実装 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 0.024Ω | |
| チャンネルモード | P | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大許容損失Pd | 375W | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 52.2nC | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 高さ | 1.04mm | |
| 長さ | 6.05mm | |
| 規格 / 承認 | AEC-Q101 Qualified | |
| 幅 | 5.25mm | |
| 自動車規格 | AEC-Q101 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
プロダクトタイプ パワーMOSFET | ||
チャンネルタイプ N | ||
最大連続ドレイン電流Id -8A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds -20V | ||
シリーズ SI34 | ||
パッケージ型式 PowerPAK | ||
取付タイプ 表面実装 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.024Ω | ||
チャンネルモード P | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大許容損失Pd 375W | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 52.2nC | ||
動作温度 Max 175°C | ||
高さ 1.04mm | ||
長さ 6.05mm | ||
規格 / 承認 AEC-Q101 Qualified | ||
幅 5.25mm | ||
自動車規格 AEC-Q101 | ||
- COO（原産国）:
- DE
Vishay高性能PチャンネルMOSFETは、効率的な電源スイッチング用途を実現するように設計されています。その機能により、さまざまな電圧および電流範囲で信頼性の高い動作を実現します。
PチャンネルMOSFETは、-20 Vで低オン抵抗で効果的に動作
要求の厳しい用途向けに最大-32 Aのパルスドレイン電流に対応可能
25°Cで-7.5 Aの連続ドレイン電流定格により、熱管理を容易にします
±8 Vのゲートソース電圧許容差により、多様な回路での耐久性を向上
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