Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 150 V, 29 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージSO-8, SIR632DP-T1-RE3
- RS品番:
- 134-9723
- メーカー型番:
- SIR632DP-T1-RE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
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- RS品番:
- 134-9723
- メーカー型番:
- SIR632DP-T1-RE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
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詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 29A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 150V | |
| パッケージ型式 | SO-8 | |
| シリーズ | SiR632DP | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 41mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 順方向電圧 Vf | -1.2V | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 14nC | |
| 最大許容損失Pd | 69.5W | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 長さ | 6.25mm | |
| 高さ | 1.12mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 29A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 150V | ||
パッケージ型式 SO-8 | ||
シリーズ SiR632DP | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 41mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
順方向電圧 Vf -1.2V | ||
動作温度 Min -55°C | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 14nC | ||
最大許容損失Pd 69.5W | ||
動作温度 Max 150°C | ||
長さ 6.25mm | ||
高さ 1.12mm | ||
規格 / 承認 No | ||
自動車規格 なし | ||
NチャンネルMOSFET、TrenchFET Gen IIIまで、Vishay Semiconductor
MOSFETトランジスタ、Vishay Semiconductor
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