Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 150 V, 29 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージSO-8, SIR632DP-T1-RE3

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梱包形態
RS品番:
134-9723
メーカー型番:
SIR632DP-T1-RE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

29A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

150V

シリーズ

SiR632DP

パッケージ型式

SO-8

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

41mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

14nC

最大許容損失Pd

69.5W

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

順方向電圧 Vf

-1.2V

動作温度 Max

150°C

長さ

6.25mm

幅

5.26 mm

規格 / 承認

No

高さ

1.12mm

自動車規格

なし

NチャンネルMOSFET、TrenchFET Gen IIIまで、Vishay Semiconductor


MOSFETトランジスタ、Vishay Semiconductor


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