Vishay Nチャンネル MOSFET150 V 29 A 表面実装 パッケージPowerPAK SO-8 8 ピン
- RS品番:
- 134-9723
- メーカー型番:
- SIR632DP-T1-RE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
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単価： 購入単位は5個
￥224.00
(税抜)
￥246.40
(税込)
個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 5 - 145 | ￥224.00 | ￥1,120.00 |
| 150 - 1420 | ￥217.60 | ￥1,088.00 |
| 1425 - 1895 | ￥162.60 | ￥813.00 |
| 1900 - 2395 | ￥135.20 | ￥676.00 |
| 2400 + | ￥107.80 | ￥539.00 |
* 購入単位ごとの価格
- RS品番:
- 134-9723
- メーカー型番:
- SIR632DP-T1-RE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
その他
詳細情報
NチャンネルMOSFET、TrenchFET Gen IIIまで、Vishay Semiconductor
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
MOSFETトランジスタ、Vishay Semiconductor
仕様
特性 | |
|---|---|
| チャンネルタイプ | N |
| 最大連続ドレイン電流 | 29 A |
| 最大ドレイン-ソース間電圧 | 150 V |
| パッケージタイプ | PowerPAK SO-8 |
| 実装タイプ | 表面実装 |
| ピン数 | 8 |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗 | 41 mΩ |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 |
| 最大ゲートしきい値電圧 | 4V |
| 最低ゲートしきい値電圧 | 2V |
| 最大パワー消費 | 69.5 W |
| トランジスタ構成 | シングル |
| 最大ゲート-ソース間電圧 | -20 V, +20 V |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 |
| 幅 | 5.26mm |
| 動作温度 Max | +150 °C |
| 標準ゲートチャージ @ Vgs | 14 nC @ 10 V |
| 長さ | 6.25mm |
| 順方向ダイオード電圧 | 1.1V |
| 動作温度 Min | -55 °C |
| 高さ | 1.12mm |
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