Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 20 V, 430 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージSO-8, SIR178DP-T1-RE3

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梱包形態
RS品番:
210-4999
メーカー型番:
SIR178DP-T1-RE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

430A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

20V

パッケージ型式

SO-8

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.31mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

204nC

最大ゲートソース電圧Vgs

12 V

最大許容損失Pd

104W

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

No

高さ

1.12mm

幅

5.26 mm

長さ

6.25mm

自動車規格

なし

Vishay N チャンネル 20 V （ D-S ） MOSFET は、ドレイン電流 430 A の PowerPak SO-8 パッケージタイプです。

TrenchFET Gen IV パワー MOSFET

超低 RDS x Qg 性能指数（ FOM ）

リーダーシップ RDS （ ON ）は、導電による電力損失を最小限に抑えます

低電圧ゲートドライブでの定格動作電圧： 2.5 V

100 % Rg及びUISテスト済み

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