Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 45 V, 110 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージSO-8, SIR150DP-T1-RE3

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RS品番:
200-6844
メーカー型番:
SIR150DP-T1-RE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

110A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

45V

シリーズ

TrenchFET Gen IV

パッケージ型式

SO-8

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

3.97mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

70nC

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

65.7W

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

順方向電圧 Vf

1.1V

動作温度 Max

150°C

長さ

5.15mm

規格 / 承認

No

高さ

6.15mm

幅

5.15 mm

自動車規格

なし

Vishay SIR150DP-T1-RE3 は、 N チャンネル 45 V （ D-S ） MOSFET です。

Vishay SIR150DP-T1-RE3 は、 N チャンネル 45 V （ D-S ） MOSFET です。

TrenchFET® Gen IVパワーMOSFET

ドレイン - ソース間破壊電圧： 45 V

低 Qg 、低 Qoss に合わせて調整されています

100 % Rg及びUISテスト済み

TrenchFET® Gen IVパワーMOSFET

ドレイン - ソース間破壊電圧： 45 V

低 Qg 、低 Qoss に合わせて調整されています

100 % Rg及びUISテスト済み

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