Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 100 V, 65 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージSO-8, SIR668DP-T1-RE3

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梱包形態
RS品番:
134-9725
メーカー型番:
SIR668DP-T1-RE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

65A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

100V

シリーズ

TrenchFET

パッケージ型式

SO-8

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

5.05mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

104W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

72nC

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

順方向電圧 Vf

1.1V

動作温度 Max

150°C

長さ

6.25mm

規格 / 承認

No

幅

5.26 mm

高さ

1.12mm

自動車規格

なし

NチャンネルMOSFET、TrenchFET Gen IV、Vishay Semiconductors


MOSFETトランジスタ、Vishay Semiconductor


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