Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 30 V, 40 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージTSDSON
- RS品番:
- 145-9665
- メーカー型番:
- BSZ050N03LSGATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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|---|---|---|
| 5000 - 5000 | ¥33.197 | ¥165,985 |
| 10000 - 45000 | ¥32.709 | ¥163,545 |
| 50000 - 70000 | ¥32.22 | ¥161,100 |
| 75000 - 95000 | ¥31.732 | ¥158,660 |
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- RS品番:
- 145-9665
- メーカー型番:
- BSZ050N03LSGATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 40A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 30V | |
| パッケージ型式 | TSDSON | |
| シリーズ | OptiMOS 3 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 7.8mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 順方向電圧 Vf | 1.2V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 26nC | |
| 最大許容損失Pd | 50W | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20 V | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 長さ | 3.4mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 高さ | 1.1mm | |
| 幅 | 3.4 mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 40A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 30V | ||
パッケージ型式 TSDSON | ||
シリーズ OptiMOS 3 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 7.8mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
順方向電圧 Vf 1.2V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 26nC | ||
最大許容損失Pd 50W | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20 V | ||
動作温度 Min -55°C | ||
動作温度 Max 150°C | ||
長さ 3.4mm | ||
規格 / 承認 No | ||
高さ 1.1mm | ||
幅 3.4 mm | ||
自動車規格 なし | ||
RoHSステータス: 該当なし
- COO(原産国):
- CN
Infineon OptiMOS™3パワーMOSFET、最大40 V
OptiMOS™製品は、最も困難な用途にも対応できるよう高性能なパッケージに収納されています。このため、限られたスペースで最大限に柔軟性を発揮できます。 これらのInfineon製品は、コンピューティング用途における次世代の厳しい電圧調整規格のエネルギー効率と電力密度の要件に適合し、上回るように設計されています。
高速スイッチングMOSFET、SMPS用
DC/DCコンバータ用に最適化された技術
対象用途に対してJEDEC1に適合
Nチャンネル、ロジックレベル
優れたゲート電荷量 x R DS(on)製品(FOM)
超低オン抵抗 R DS(on)
鉛フリーめっき
MOSFETトランジスタ、Infineon
Infineonでは、CoolMOS、OptiMOS、StrongIRFETの各ファミリをはじめ、MOSFETデバイスの幅広く包括的な製品ラインを取り揃えています。効率、電力密度、及びコスト効果を高めるためにクラス最高の性能を実現しています。高い品質と強化された保護機能が求められる設計では、AEC-Q101車載用規格に適合するMOSFETが活用されます。
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