Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 30 V, 40 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージTSDSON, BSZ050N03LSGATMA1

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1 袋(1袋25個入り) 小計：*

￥1,107.00

(税抜)

￥1,217.75

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫あり
  • 4,975 は 2025年12月29日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個
単価
購入単位毎合計*
25 - 225￥44.28￥1,107
250 - 2350￥41.16￥1,029
2375 - 2975￥38.04￥951
3000 - 3975￥34.88￥872
4000 +￥31.76￥794

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:
827-5249
メーカー型番:
BSZ050N03LSGATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

40A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

30V

シリーズ

OptiMOS 3

パッケージ型式

TSDSON

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

7.8mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

最大許容損失Pd

50W

順方向電圧 Vf

1.2V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

26nC

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

150°C

高さ

1.1mm

規格 / 承認

No

長さ

3.4mm

幅

3.4 mm

自動車規格

なし

RoHSステータス: 該当なし

Infineon OptiMOS™3パワーMOSFET、最大40 V


OptiMOS™製品は、最も困難な用途にも対応できるよう高性能なパッケージに収納されています。このため、限られたスペースで最大限に柔軟性を発揮できます。 これらのInfineon製品は、コンピューティング用途における次世代の厳しい電圧調整規格のエネルギー効率と電力密度の要件に適合し、上回るように設計されています。

高速スイッチングMOSFET、SMPS用

DC/DCコンバータ用に最適化された技術

対象用途に対してJEDEC1に適合

Nチャンネル、ロジックレベル

優れたゲート電荷量 x R DS(on)製品(FOM)

超低オン抵抗 R DS(on)

鉛フリーめっき

MOSFETトランジスタ、Infineon


Infineonでは、CoolMOS、OptiMOS、StrongIRFETの各ファミリをはじめ、MOSFETデバイスの幅広く包括的な製品ラインを取り揃えています。効率、電力密度、及びコスト効果を高めるためにクラス最高の性能を実現しています。高い品質と強化された保護機能が求められる設計では、AEC-Q101車載用規格に適合するMOSFETが活用されます。

関連ページ