Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 40 V, 114 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージTSDSON

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1 リール(1リール5000個入り) 小計：*

￥296,835.00

(税抜)

￥326,520.00

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫あり
  • 15,000 は 2025年12月29日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個
単価
購入単位毎合計*
5000 - 5000￥59.367￥296,835
10000 - 45000￥58.494￥292,470
50000 - 70000￥57.62￥288,100
75000 - 95000￥56.747￥283,735
100000 +￥55.875￥279,375

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:
222-4626
メーカー型番:
BSZ028N04LSATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

114A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

40V

シリーズ

OptiMOS-TM3

パッケージ型式

TSDSON

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

2.8mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

32nC

順方向電圧 Vf

1V

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

63W

動作温度 Max

150°C

幅

6.1 mm

高さ

1.2mm

規格 / 承認

No

長さ

5.35mm

自動車規格

なし

InfineonのMOSFETは、MOSFETトランジスタとも呼ばれます。MOSFETは「金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ」の略称です。MOSFETは、コンデンサによって制御されるトランジスタデバイスです。「電界効果」とは、電圧によって制御されることを意味します。MOSFETを使用する目的は、ソース端子からドレイン端子へ流れる電流を制御することです。

鉛未使用めっきリード; RoHS準拠

100%アバランシェテスト済みの優れた耐熱性

ハロゲン未使用、IEC61249-2-23準拠

関連ページ