Vishay MOSFET, タイプPチャンネル 30 V, 2.7 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージSOT-23
- RS品番:
- 146-1425
- メーカー型番:
- SI2303CDS-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
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- RS品番:
- 146-1425
- メーカー型番:
- SI2303CDS-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
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詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプP | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 2.7A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 30V | |
| パッケージ型式 | SOT-23 | |
| シリーズ | TrenchFET | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 0.33Ω | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 4nC | |
| 最大許容損失Pd | 2.3W | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20 V | |
| 順方向電圧 Vf | -1.2V | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 幅 | 1.4 mm | |
| 規格 / 承認 | IEC 61249-2-21 | |
| 高さ | 1.02mm | |
| 長さ | 3.04mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプP | ||
最大連続ドレイン電流Id 2.7A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 30V | ||
パッケージ型式 SOT-23 | ||
シリーズ TrenchFET | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.33Ω | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 4nC | ||
最大許容損失Pd 2.3W | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20 V | ||
順方向電圧 Vf -1.2V | ||
動作温度 Min -55°C | ||
動作温度 Max 150°C | ||
幅 1.4 mm | ||
規格 / 承認 IEC 61249-2-21 | ||
高さ 1.02mm | ||
長さ 3.04mm | ||
自動車規格 なし | ||
- COO(原産国):
- CN
PチャンネルMOSFET、30 → 80 V、Vishay Semiconductor
MOSFETトランジスタ、Vishay Semiconductor
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