型番

Vishay MOSFET, タイプPチャンネル 40 V, 4.4 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージSOT-23

RS品番:: 919-4208
メーカー型番:: SI2319CDS-T1-GE3
メーカー/ブランド名:: Vishay

Vishay MOSFET, タイプPチャンネル 40 V, 4.4 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージSOT-23

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15000 - 27000	￥36.838	￥110,514
30000 - 72000	￥36.287	￥108,861
75000 - 147000	￥35.738	￥107,214
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RS品番:: 919-4208
メーカー型番:: SI2319CDS-T1-GE3
メーカー/ブランド名:: Vishay

仕様

データシート

その他

詳細情報

製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	Vishay
	チャンネルタイプ	タイプP
	プロダクトタイプ	MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id	4.4A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	40V
	パッケージ型式	SOT-23
	シリーズ	Si2319CDS
	取付タイプ	表面
	ピン数	3
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	108mΩ
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	最大ゲートソース電圧Vgs	20 V
	動作温度 Min	-55°C
	順方向電圧 Vf	-1.2V
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	13.6nC
	最大許容損失Pd	2.5W
	動作温度 Max	150°C
	規格 / 承認	No
	長さ	3.04mm
	幅	1.4 mm
	高さ	1.02mm
	自動車規格	なし

	すべて選択
	ブランド Vishay
	チャンネルタイプタイプP
	プロダクトタイプ MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id 4.4A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 40V
	パッケージ型式 SOT-23
	シリーズ Si2319CDS
	取付タイプ表面
	ピン数 3
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 108mΩ
	チャンネルモードエンハンスメント型
	最大ゲートソース電圧Vgs 20 V
	動作温度 Min -55°C
	順方向電圧 Vf -1.2V
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 13.6nC
	最大許容損失Pd 2.5W
	動作温度 Max 150°C
	規格 / 承認 No
	長さ 3.04mm
	幅 1.4 mm
	高さ 1.02mm
	自動車規格なし

COO（原産国）:: CN

特長

• IEC61249-2-21 準拠のハロゲンフリー

定義

• TrenchFET ® パワー MOSFET

• 100 % 耐久性テスト済み

• RoHS指令2002/95/ECに準拠

用途

•負荷スイッチ

• DC/DC コンバータ

Vishay MOSFET, タイプPチャンネル 40 V, 4.4 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージSOT-23

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PチャンネルMOSFET、30 → 80 V、Vishay Semiconductor

MOSFETトランジスタ、Vishay Semiconductor

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