Vishay MOSFET, タイプPチャンネル 40 V, 4.4 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージSOT-23

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RS品番:
919-4208
メーカー型番:
SI2319CDS-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

タイプP

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

4.4A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

40V

パッケージ型式

SOT-23

シリーズ

Si2319CDS

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

108mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

13.6nC

順方向電圧 Vf

-1.2V

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

最大許容損失Pd

2.5W

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

150°C

1.4 mm

長さ

3.04mm

高さ

1.02mm

規格 / 承認

No

自動車規格

なし

COO(原産国):
CN
特長

• IEC61249-2-21 準拠のハロゲンフリー

定義

• TrenchFET ® パワー MOSFET

• 100 % 耐久性テスト済み

• RoHS指令2002/95/ECに準拠

用途

•負荷スイッチ

• DC/DC コンバータ

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。


PチャンネルMOSFET、30 → 80 V、Vishay Semiconductor


MOSFETトランジスタ、Vishay Semiconductor


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