Vishay MOSFET, タイプPチャンネル 30 V, 2.7 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージSOT-23, SI2303CDS-T1-GE3

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梱包形態
RS品番:
710-3241
メーカー型番:
SI2303CDS-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプP

最大連続ドレイン電流Id

2.7A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

30V

シリーズ

TrenchFET

パッケージ型式

SOT-23

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.33Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大許容損失Pd

2.3W

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

4nC

順方向電圧 Vf

-1.2V

動作温度 Max

150°C

長さ

3.04mm

高さ

1.02mm

幅

1.4 mm

規格 / 承認

IEC 61249-2-21

自動車規格

なし

PチャンネルMOSFET、30 → 80 V、Vishay Semiconductor


MOSFETトランジスタ、Vishay Semiconductor


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