IXYS MOSFET, Nチャンネル, シングル, 1 kV, 22 A, 600 mΩ, 3ピン, パッケージ：TO-264
- RS品番:
- 146-1713
- メーカー型番:
- IXTK22N100L
- メーカー/ブランド名:
- IXYS
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- RS品番:
- 146-1713
- メーカー型番:
- IXTK22N100L
- メーカー/ブランド名:
- IXYS
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | IXYS | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | N | |
| トランジスタ構成 | シングル | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧(Vds) | 1 kV | |
| 最大連続ドレイン電流(Id) | 22 A | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗(Rds) | 600 mΩ | |
| ピン数 | 3 | |
| パッケージ型式 | TO-264 | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 高さ | 26.16 mm | |
| 長さ | 19.96 mm | |
| 最大ゲートソース電圧(Vgs) | 30 V, -30 V | |
| 動作温度 (Max) | 150 °C | |
| 最大許容損失(Pd) | 700 W | |
| 動作温度 (Min) | -55 °C | |
| 取付タイプ | スルーホール | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 | |
| シリーズ | Linear | |
| 幅 | 5.13 mm | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド IXYS | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ N | ||
トランジスタ構成 シングル | ||
最大ドレイン-ソース間電圧(Vds) 1 kV | ||
最大連続ドレイン電流(Id) 22 A | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗(Rds) 600 mΩ | ||
ピン数 3 | ||
パッケージ型式 TO-264 | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
高さ 26.16 mm | ||
長さ 19.96 mm | ||
最大ゲートソース電圧(Vgs) 30 V, -30 V | ||
動作温度 (Max) 150 °C | ||
最大許容損失(Pd) 700 W | ||
動作温度 (Min) -55 °C | ||
取付タイプ スルーホール | ||
1チップ当たりのエレメント数 1 | ||
シリーズ Linear | ||
幅 5.13 mm | ||
N-Channel Power MOSFET, IXYS Linear Series
N-Channel Power MOSFETs designed specifically for linear operation. These devices feature extended Forward Bias Safe Operating Area (FBSOA) for increased ruggedness and reliability.
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of Advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
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