1 onsemi MOSFET シングル, タイプNチャンネル, 3.9 A 800 V, 3-Pin エンハンスメント型, FQB4N80TM パッケージTO-263
- RS品番:
- 146-2064
- メーカー型番:
- FQB4N80TM
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
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|---|---|---|
| 800 - 3200 | ￥143.946 | ￥115,157 |
| 4000 - 7200 | ￥143.739 | ￥114,991 |
| 8000 - 19200 | ￥143.524 | ￥114,819 |
| 20000 - 39200 | ￥143.318 | ￥114,654 |
| 40000 + | ￥143.091 | ￥114,473 |
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- RS品番:
- 146-2064
- メーカー型番:
- FQB4N80TM
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | onsemi | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 3.9A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 800V | |
| パッケージ型式 | TO-263 | |
| シリーズ | QFET | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 3.6Ω | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大許容損失Pd | 3.13W | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| トランジスタ構成 | シングル | |
| 高さ | 4.83mm | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド onsemi | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 3.9A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 800V | ||
パッケージ型式 TO-263 | ||
シリーズ QFET | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 3.6Ω | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大許容損失Pd 3.13W | ||
動作温度 Max 150°C | ||
トランジスタ構成 シングル | ||
高さ 4.83mm | ||
1チップ当たりのエレメント数 1 | ||
- COO（原産国）:
- MY
QFET® NチャンネルMOSFET、最大5.9 A、Fairchild Semiconductor
FairFairchild Semiconductorの新しいQFET®プラナーMOSFETは、高度な独自技術を採用し、電源、PFC (パワーファクタ補正)、DC-DCコンバータ、プラズマディスプレイパネル(PDP)、照明バラスト、モーション制御など、幅広い用途に最高の動作性能を発揮します。
オン抵抗(RDS(on))を下げることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷(Qg)や出力容量(Coss)を下げることでスイッチング時の損失を低減します。Fairchildは、Advanced QFET®プロセス技術を使用することで、競合するプラナールMOSFETデバイスよりも優れたメリット数値(FOM)を提供できます。
MOSFETトランジスタ、ONセミ
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ONセミMOSFETは、電圧スパイクやオーバーショットの低減、ジャンクション静電容量の低減、逆回復電荷の低減、システムを長時間動作させるための追加の外部コンポーネントの排除など、優れた設計信頼性を実現します。