Fairchildは、新世代の600 VスーパージャンクションMOSFET - SupreMOS®を発売します。 同社の低RDS(on)と総ゲート電荷量を組み合わせることで、Fairchild製の600 V SuperFET™ MOSFETよりも性能指数(FOM)が40%低くなります。 さらに、SupreMOSファミリは同じRDS(on)に対して低いゲート電荷量を実現するので、優れたスイッチング性能を発揮し、スイッチング損失と導電損失は20 %低くなります。この結果、効率は高くなります。 これらの特性により、電源はデスクトップPC向けのENERGY STAR® 80 PLUS Gold分類及びサーバー向けのPlatinum分類に適合します。
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MOSFET トランジスタ、 ON Semi
ON Semi は、高電圧>（ 250 V ）<タイプと低電圧（ 250 V ）タイプを含む、充実した MOSFET デバイスポートフォリオを提供しています。高度なシリコン技術により、複数の業界標準に組み込まれ、熱耐性強化パッケージに収納された小さなダイサイズが実現します。 ON Semi MOSFET は、電圧スパイクの低減とオーバーシュート、ジャンクション容量の低減と逆回復電荷に対する設計の信頼性に優れており、追加の外部コンポーネントを排除してシステムの稼働時間を延長します。
