IXYS パワーMOSFET, タイプNチャンネル 1000 V, 18 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-268, IXFT18N100Q3
- RS品番:
- 168-4712
- メーカー型番:
- IXFT18N100Q3
- メーカー/ブランド名:
- IXYS
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- RS品番:
- 168-4712
- メーカー型番:
- IXFT18N100Q3
- メーカー/ブランド名:
- IXYS
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | IXYS | |
| プロダクトタイプ | パワーMOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 18A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 1000V | |
| シリーズ | Q3-Class | |
| パッケージ型式 | TO-268 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 660mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 順方向電圧 Vf | 1.4V | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | ±30 V | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 90nC | |
| 最大許容損失Pd | 830W | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 高さ | 5.1mm | |
| 幅 | 14 mm | |
| 長さ | 16.05mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド IXYS | ||
プロダクトタイプ パワーMOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 18A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 1000V | ||
シリーズ Q3-Class | ||
パッケージ型式 TO-268 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 660mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
順方向電圧 Vf 1.4V | ||
最大ゲートソース電圧Vgs ±30 V | ||
動作温度 Min -55°C | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 90nC | ||
最大許容損失Pd 830W | ||
動作温度 Max 150°C | ||
規格 / 承認 No | ||
高さ 5.1mm | ||
幅 14 mm | ||
長さ 16.05mm | ||
自動車規格 なし | ||
- COO（原産国）:
- US
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NチャンネルパワーMOSFET、IXYS HiperFET™ Q3シリーズ
IXYSのQ3クラスのHiperFET™パワーMOSFETは、ハードスイッチング及び共振モードの両方での使用に適しており、ゲート電荷量も小さく、非常に丈夫です。 これらのデバイスには高速真性ダイオードが搭載されており、定格が最大1100 V及び70 Aの各種絶縁タイプなど、さまざまな業界標準パッケージが用意されています。 主な用途には、DC-DCコンバータ、バッテリ充電器、スイッチモード及び共振モード電源、DCチョッパ、温度制御及び照明制御などがあります。
高速真性整流器
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MOSFETトランジスタ、IXYS
IXYSの先進のディスクリートパワーMOSFETデバイス製品