IXYS MOSFET, Nチャンネル, 18 A, 表面実装, 3 ピン, IXFT18N100Q3
- RS品番:
- 801-1461
- メーカー型番:
- IXFT18N100Q3
- メーカー/ブランド名:
- IXYS
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- 801-1461
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- IXFT18N100Q3
- メーカー/ブランド名:
- IXYS
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | IXYS | |
| チャンネルタイプ | N | |
| 最大連続ドレイン電流 | 18 A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧 | 1000 V | |
| シリーズ | HiperFET, Q3-Class | |
| パッケージタイプ | TO-268 | |
| 実装タイプ | 表面実装 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗 | 660 mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大ゲートしきい値電圧 | 6.5V | |
| 最大パワー消費 | 830 W | |
| トランジスタ構成 | シングル | |
| 最大ゲート-ソース間電圧 | -30 V, +30 V | |
| トランジスタ素材 | Si | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 | |
| 長さ | 16.05mm | |
| 動作温度 Max | +150 °C | |
| 標準ゲートチャージ @ Vgs | 90 nC @ 10 V | |
| 幅 | 14mm | |
| 動作温度 Min | -55 °C | |
| 高さ | 5.1mm | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド IXYS | ||
チャンネルタイプ N | ||
最大連続ドレイン電流 18 A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧 1000 V | ||
シリーズ HiperFET, Q3-Class | ||
パッケージタイプ TO-268 | ||
実装タイプ 表面実装 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗 660 mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大ゲートしきい値電圧 6.5V | ||
最大パワー消費 830 W | ||
トランジスタ構成 シングル | ||
最大ゲート-ソース間電圧 -30 V, +30 V | ||
トランジスタ素材 Si | ||
1チップ当たりのエレメント数 1 | ||
長さ 16.05mm | ||
動作温度 Max +150 °C | ||
標準ゲートチャージ @ Vgs 90 nC @ 10 V | ||
幅 14mm | ||
動作温度 Min -55 °C | ||
高さ 5.1mm | ||
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
NチャンネルパワーMOSFET、IXYS HiperFET™ Q3シリーズ
IXYSのQ3クラスのHiperFET™パワーMOSFETは、ハードスイッチング及び共振モードの両方での使用に適しており、ゲート電荷量も小さく、非常に丈夫です。 これらのデバイスには高速真性ダイオードが搭載されており、定格が最大1100 V及び70 Aの各種絶縁タイプなど、さまざまな業界標準パッケージが用意されています。 主な用途には、DC-DCコンバータ、バッテリ充電器、スイッチモード及び共振モード電源、DCチョッパ、温度制御及び照明制御などがあります。
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