IXYS MOSFET, タイプNチャンネル 850 V, 66 A エンハンスメント型, スルーホール, 3-Pin パッケージTO-264, IXFK66N85X
- RS品番:
- 146-4374
- Distrelec 品番:
- 302-53-353
- メーカー型番:
- IXFK66N85X
- メーカー/ブランド名:
- IXYS
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- メーカー/ブランド名:
- IXYS
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | IXYS | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 66A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 850V | |
| パッケージ型式 | TO-264 | |
| シリーズ | HiperFET | |
| 取付タイプ | スルーホール | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 65mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 230nC | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 30V | |
| 最大許容損失Pd | 1.25kW | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 順方向電圧 Vf | 1.4V | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 幅 | 5.3mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 長さ | 20.3mm | |
| 高さ | 26.3mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド IXYS | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 66A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 850V | ||
パッケージ型式 TO-264 | ||
シリーズ HiperFET | ||
取付タイプ スルーホール | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 65mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 230nC | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 30V | ||
最大許容損失Pd 1.25kW | ||
動作温度 Min -55°C | ||
順方向電圧 Vf 1.4V | ||
動作温度 Max 150°C | ||
幅 5.3mm | ||
規格 / 承認 No | ||
長さ 20.3mm | ||
高さ 26.3mm | ||
自動車規格 なし | ||
高速ボディダイオードを使用した850 V UltraジャンクションXクラスパワーMOSFETは、IXYS Corporation製の新しいパワー半導体製品ラインです。これらの頑丈なデバイスは、業界で最も低いオン状態抵抗を示し、高電圧電力変換用途で非常に高い電力密度を可能にします。電荷補償原理及び独自の加工技術を使用して開発された新しい850 Vデバイスは、最も低いオン状態抵抗(SOT-227パッケージで33 mΩ、PLUS264で41 mΩなど)を、低いゲート電荷と優れたdv/dt性能とともに示します。
高速ボディダイオードを使用した850 V UltraジャンクションXクラスパワーMOSFETは、IXYS Corporation製の新しいパワー半導体製品ラインです。これらの頑丈なデバイスは、業界で最も低いオン状態抵抗を示し、高電圧電力変換用途で非常に高い電力密度を可能にします。電荷補償原理及び独自の加工技術を使用して開発された新しい850 Vデバイスは、最も低いオン状態抵抗(SOT-227パッケージで33 mΩ、PLUS264で41 mΩなど)を、低いゲート電荷と優れたdv/dt性能とともに示します。
極めて低いオン抵抗RDS(ON)及びゲート電荷Qg
高速ボディダイオード
dv/dt耐久性
アバランシェ定格
低パッケージインダクタンス
国際標準パッケージ
極めて低いオン抵抗RDS(ON)及びゲート電荷Qg
高速ボディダイオード
dv/dt耐久性
アバランシェ定格
低パッケージインダクタンス
国際標準パッケージ
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