IXYS MOSFET, Nチャンネル, 850 V, 66 A, 65 mΩ, 230 nC, 3ピン, パッケージ:TO-264

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RS品番:
146-4374
Distrelec 品番:
302-53-353
メーカー型番:
IXFK66N85X
メーカー/ブランド名:
IXYS
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ブランド

IXYS

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

N

最大ドレイン-ソース間電圧(Vds)

850 V

最大連続ドレイン電流(Id)

66 A

最大ドレイン-ソース間抵抗(Rds)

65 mΩ

標準ゲートチャージ (Qg) @ Vgs

230 nC

ピン数

3

パッケージ型式

TO-264

自動車規格

なし

チャンネルモード

エンハンスメント型

Distrelec Product Id

30253353

順方向電圧 (Vf)

1.4 V

高さ

26.3 mm

長さ

20.3 mm

最大ゲートソース電圧(Vgs)

30 V

動作温度 (Max)

150 °C

最大許容損失(Pd)

1.25 kW

動作温度 (Min)

-55 °C

取付タイプ

スルーホール

シリーズ

HiperFET

規格 / 承認

No

幅

5.3 mm

The 850V Ultra-Junction X-Class Power MOSFETs with fast body diodes represent a new power semiconductor product line from IXYS Corporation. These rugged devices display the lowest on-state resistances in the industry, enabling very high power density in high-voltage power conversion applications. Developed using the charge compensation principle and proprietary process technology, the new 850V devices exhibit the lowest on-state resistances (33 milliohm in the SOT-227 package and 41 milliohm in the PLUS264, for instance), along with low gate charges and superior dv/dt performance.

Ultra low on-resistance RDS(ON) and gate charge Qg

Fast body diode

dv/dt ruggedness

Avalanche rated

Low package inductance

International standard packages

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