Vishay パワーMOSFET, タイプNチャンネル 500 V, 2.4 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージIPAK
- RS品番:
- 146-4434
- メーカー型番:
- IRFU420PBF
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
ボリュームディスカウント対象商品
一括購入価格オプションを表示1 リール(1リール3000個入り) 小計：*
￥244,329.00
(税抜)
￥268,761.00
(税込)
3,000円を超える注文については、送料無料
一時的に在庫切れ
- 本日発注の場合は 2026年12月02日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | ￥81.443 | ￥244,329 |
| 6000 - 27000 | ￥79.456 | ￥238,368 |
| 30000 - 42000 | ￥78.499 | ￥235,497 |
| 45000 - 57000 | ￥77.564 | ￥232,692 |
| 60000 + | ￥76.652 | ￥229,956 |
* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。
- RS品番:
- 146-4434
- メーカー型番:
- IRFU420PBF
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
その他
詳細情報
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| プロダクトタイプ | パワーMOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 2.4A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 500V | |
| パッケージ型式 | IPAK | |
| シリーズ | IRFU420 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 3Ω | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 19nC | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大許容損失Pd | 42W | |
| 順方向電圧 Vf | 1.6V | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20V | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 高さ | 2.39mm | |
| 長さ | 6.73mm | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 幅 | 6.22mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
プロダクトタイプ パワーMOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 2.4A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 500V | ||
パッケージ型式 IPAK | ||
シリーズ IRFU420 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 3Ω | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 19nC | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大許容損失Pd 42W | ||
順方向電圧 Vf 1.6V | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20V | ||
動作温度 Max 150°C | ||
高さ 2.39mm | ||
長さ 6.73mm | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
幅 6.22mm | ||
自動車規格 なし | ||
Vishay IRFU420シリーズパワーMOSFET、最大ドレインソース電圧500 V、最大連続ドレイン電流2.4 A - IRFU420PBF
このパワーMOSFETは、産業システムの表面実装電力変換および制御作業向けに設計された高電圧スイッチングトランジスタです。高ドレインソース電圧処理と中程度の連続電流を必要とする用途に適したNチャンネルエンハンスメントモードデバイスとして動作し、コンパクトな基板レベルの統合を目的としたIPAK 3ピンパッケージを備えています。
特長：
• 500 Vドレインソース耐性により、高電圧スイッチング機能を実現 • 3 Ω RDS(on)により、オン状態での伝導損失を予測可能 • 2.4 Aの連続ドレイン電流により、持続的な負荷動作を実現 • 19 nCの標準ゲート電荷でスイッチングエネルギー評価を実現 • 熱設計マージンの最大消費電力: 42 W • 幅広い熱環境に対応する動作温度範囲: -55°C～150°C
用途
• 産業用モータドライブゲートスイッチングステージに最適 • 高電圧スイッチング電源に最適 • ライン電圧保護およびスナバ回路に使用 • オートメーション制御リレーやドライバに使用可能
設計中にどのようなゲート電圧制限を遵守する必要がありますか?
ゲートエキストリングは、ソースに対して±20 V以内に保持し、ゲート酸化過剰ストレスを防止し、長期的なスイッチング信頼性を確保します。
プリント基板の熱制限をどのように管理すべきですか?
最大42 Wの電力を消散させるために、十分な銅面積とサーマルビーを使用し、冷却戦略のためのジャンクション-環境抵抗を評価します。
ゲート充電により、どのようなスイッチング性能に関する考慮事項がありますか?
19 nCゲート充電周辺の予算ドライバ電流及びスルーレートにより、過渡時のスイッチング損失と電磁放射を制御します。
信頼性の高い動作のための特定の取り付け推奨事項はありますか?
表面実装IPAKデバイスとして、確実なはんだ付けジョイントと適切な熱拡散フットプリントを確保し、-55°C～150°Cの動作帯域内で温度を維持します。
関連ページ
- Vishay MOSFET 2.4 A エンハンスメント型 3-Pin パッケージIPAK, IRFU420PBF
- Infineon MOSFET 80 A エンハンスメント型 3-Pin パッケージIPAK
- Infineon MOSFET 31 A エンハンスメント型 3-Pin パッケージIPAK
- Infineon MOSFET 63 A エンハンスメント型 3-Pin パッケージIPAK
- Infineon MOSFET 33 A エンハンスメント型 3-Pin パッケージIPAK
- Infineon MOSFET 31 A エンハンスメント型 3-Pin パッケージIPAK, IRFU5305PBF
- Infineon MOSFET 63 A エンハンスメント型 3-Pin パッケージIPAK, IRFU4510PBF
- Infineon MOSFET 80 A エンハンスメント型 3-Pin パッケージIPAK, IRFU3607PBF