Vishay Siliconix MOSFET, タイプPチャンネル 40 V, 3.6 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージSOT-23

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1 リール(1リール3000個入り) 小計：*

￥83,757.00

(税抜)

￥92,133.00

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
取扱終了
  • 3,000 は海外在庫あり（最終在庫）
個
単価
購入単位毎合計*
3000 - 12000￥27.919￥83,757
15000 - 27000￥27.74￥83,220
30000 - 72000￥27.56￥82,680
75000 - 147000￥27.369￥82,107
150000 +￥27.178￥81,534

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:
178-3663
メーカー型番:
Si2319DDS-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay Siliconix
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

Vishay Siliconix

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプP

最大連続ドレイン電流Id

3.6A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

40V

シリーズ

TrenchFET

パッケージ型式

SOT-23

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

100mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

12.5nC

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

-1.2V

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

最大許容損失Pd

1.7W

動作温度 Max

150°C

長さ

3.04mm

幅

1.4 mm

高さ

1.02mm

規格 / 承認

No

自動車規格

なし

RoHSステータス: 対象外

COO（原産国）:
CN

Vishay


Vishay 表面実装 P チャンネル MOSFET は、ドレインソース電圧 40 V 、最大ゲートソース電圧 20 V の新しい時代の製品です。ゲートソース電圧が 10 V のときに 75 mohms のドレインソース抵抗を備えています。最大消費電力は 1.7 W で、連続ドレイン電流は 3.6 A です。この MOSFET の最小駆動電圧は 4.5 V 、最大駆動電圧は 10 V です。MOSFET は、スイッチング損失と導電損失を低減するように最適化されています。MOSFET は、性能や機能性を損なうことなく、優れた効率性と長寿命を実現しています。

特長と利点


• ハロゲンフリー

•鉛（ Pb ）フリー

•動作温度範囲： -55 ° C ～ 150 ° C

• TrenchFET パワー MOSFET

用途


•バッテリスイッチ

•負荷スイッチ

•モータ駆動制御

認定


• ANSI/ESD S20.20 ： 2014

• BS EN 61340-5-1 ： 2007

• Rg テスト済み

• UIS テスト済み

関連ページ