Vishay Pチャンネル MOSFET20 V 4.3 A 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピン
- RS品番:
- 812-3110
- メーカー型番:
- SI2323DDS-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
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単価： 購入単位は20個
￥79.90
(税抜)
￥87.89
(税込)
個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 20 - 120 | ￥79.90 | ￥1,598.00 |
| 140 - 1380 | ￥77.60 | ￥1,552.00 |
| 1400 - 1780 | ￥56.35 | ￥1,127.00 |
| 1800 - 2380 | ￥45.60 | ￥912.00 |
| 2400 + | ￥34.95 | ￥699.00 |
* 購入単位ごとの価格
- RS品番:
- 812-3110
- メーカー型番:
- SI2323DDS-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
その他
- COO（原産国）:
- CN
詳細情報
PチャンネルMOSFET、8 → 20 V、Vishay Semiconductor
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
MOSFETトランジスタ、Vishay Semiconductor
仕様
特性 | |
|---|---|
| チャンネルタイプ | P |
| 最大連続ドレイン電流 | 4.3 A |
| 最大ドレイン-ソース間電圧 | 20 V |
| パッケージタイプ | SOT-23 |
| 実装タイプ | 表面実装 |
| ピン数 | 3 |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗 | 75 mΩ |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 |
| 最低ゲートしきい値電圧 | 0.4V |
| 最大パワー消費 | 1.7 W |
| トランジスタ構成 | シングル |
| 最大ゲート-ソース間電圧 | -8 V, +8 V |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 |
| トランジスタ素材 | Si |
| 幅 | 1.4mm |
| 標準ゲートチャージ @ Vgs | 24 nC @ 8 V |
| 長さ | 3.04mm |
| 動作温度 Max | +150 °C |
| 高さ | 1.02mm |
| 動作温度 Min | -55 °C |
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