Nexperia MOSFET, タイプNチャンネル 20 V, 600 mA エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージDFN

RS品番:: 151-3049
メーカー型番:: PMDXB600UNEZ
メーカー/ブランド名:: Nexperia

Nexperia MOSFET, タイプNチャンネル 20 V, 600 mA エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージDFN

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RS品番:: 151-3049
メーカー型番:: PMDXB600UNEZ
メーカー/ブランド名:: Nexperia

仕様

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その他

詳細情報

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すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	Nexperia
	プロダクトタイプ	MOSFET
	チャンネルタイプ	タイプN
	最大連続ドレイン電流Id	600mA
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	20V
	パッケージ型式	DFN
	取付タイプ	表面
	ピン数	8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	3Ω
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	最大ゲートソース電圧Vgs	8 V
	動作温度 Min	-55°C
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	0.4nC
	最大許容損失Pd	4.03W
	動作温度 Max	150°C
	幅	1.05 mm
	長さ	1.15mm
	高さ	0.4mm
	規格 / 承認	No
	自動車規格	なし

	すべて選択
	ブランド Nexperia
	プロダクトタイプ MOSFET
	チャンネルタイプタイプN
	最大連続ドレイン電流Id 600mA
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 20V
	パッケージ型式 DFN
	取付タイプ表面
	ピン数 8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 3Ω
	チャンネルモードエンハンスメント型
	最大ゲートソース電圧Vgs 8 V
	動作温度 Min -55°C
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 0.4nC
	最大許容損失Pd 4.03W
	動作温度 Max 150°C
	幅 1.05 mm
	長さ 1.15mm
	高さ 0.4mm
	規格 / 承認 No
	自動車規格なし

NチャネルMOSFET ≤ 20 V: ポータブル設計に最適なスイッチングソリューションです。最大20 Vの各種シングル及びデュアルNチャネルMOSFETから選択できます。信頼のTrenchMOSとパッケージ技術により、信頼性に優れています。この使いやすい低電圧MOSFETは、低駆動電圧の携帯用途の需要に応えて設計されました。

20 V、デュアルNチャネルMOSFET: トレンチMOSFET技術採用のデュアルNチャネル拡張モード電界効果トランジスタ(FET)で、リードレス超小型DFN1010B-6 (SOT1216)表面実装デバイス(SMD)プラスチックパッケージ入りです。

トレンチMOSFET技術

リードレス超小型及び超薄型SMDプラスチックパッケージ: 1.1 x 1.0 x 0.37 mm

露出したドレインパッドにより、優れた熱伝導

静電気放電(ESD)保護: >1 kV HBM

ドレインソースオン状態抵抗RDSon = 470 mΩ