Nexperia MOSFET, Nチャンネル, 20 V, 600 mA, 3 Ω, 0.4 nC, 8ピン, パッケージ：DFN
- RS品番:
- 151-3178
- メーカー型番:
- PMDXB600UNEZ
- メーカー/ブランド名:
- Nexperia
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- RS品番:
- 151-3178
- メーカー型番:
- PMDXB600UNEZ
- メーカー/ブランド名:
- Nexperia
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Nexperia | |
| チャンネルタイプ | N | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 600mA | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 20V | |
| パッケージ型式 | DFN | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 3Ω | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大許容損失Pd | 4.03W | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 8V | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 0.4nC | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 幅 | 1.05mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 高さ | 400μm | |
| 長さ | 1.15mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Nexperia | ||
チャンネルタイプ N | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 600mA | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 20V | ||
パッケージ型式 DFN | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 3Ω | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大許容損失Pd 4.03W | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 8V | ||
動作温度 Min -55°C | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 0.4nC | ||
動作温度 Max 150°C | ||
幅 1.05mm | ||
規格 / 承認 No | ||
高さ 400μm | ||
長さ 1.15mm | ||
自動車規格 なし | ||
NチャネルMOSFET ≤ 20 V: ポータブル設計に最適なスイッチングソリューションです。最大20 Vの各種シングル及びデュアルNチャネルMOSFETから選択できます。信頼のTrenchMOSとパッケージ技術により、信頼性に優れています。この使いやすい低電圧MOSFETは、低駆動電圧の携帯用途の需要に応えて設計されました。
20 V、デュアルNチャネルMOSFET: トレンチMOSFET技術採用のデュアルNチャネル拡張モード電界効果トランジスタ(FET)で、リードレス超小型DFN1010B-6 (SOT1216)表面実装デバイス(SMD)プラスチックパッケージ入りです。
トレンチMOSFET技術
リードレス超小型及び超薄型SMDプラスチックパッケージ: 1.1 x 1.0 x 0.37 mm
露出したドレインパッドにより、優れた熱伝導
静電気放電(ESD)保護: >1 kV HBM
ドレインソースオン状態抵抗RDSon = 470 mΩ
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