2 onsemi パワーMOSFET N+P負荷スイッチ, タイプP, タイプNチャンネル, 1.3 A, 表面 8 V, 6-Pin エンハンスメント型 パッケージSC-88
- RS品番:
- 163-1114
- メーカー型番:
- NTJD1155LT1G
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
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| 30000 - 72000 | ￥13.008 | ￥39,024 |
| 75000 - 147000 | ￥12.921 | ￥38,763 |
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- RS品番:
- 163-1114
- メーカー型番:
- NTJD1155LT1G
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | onsemi | |
| チャンネルタイプ | タイプP, タイプN | |
| プロダクトタイプ | パワーMOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 1.3A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 8V | |
| パッケージ型式 | SC-88 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 6 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 320mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大許容損失Pd | 400mW | |
| 順方向電圧 Vf | -0.8V | |
| 動作温度 Min | 150°C | |
| 動作温度 Max | -55°C | |
| トランジスタ構成 | N+P負荷スイッチ | |
| 長さ | 2.2mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 高さ | 1mm | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 2 | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド onsemi | ||
チャンネルタイプ タイプP, タイプN | ||
プロダクトタイプ パワーMOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 1.3A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 8V | ||
パッケージ型式 SC-88 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 6 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 320mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大許容損失Pd 400mW | ||
順方向電圧 Vf -0.8V | ||
動作温度 Min 150°C | ||
動作温度 Max -55°C | ||
トランジスタ構成 N+P負荷スイッチ | ||
長さ 2.2mm | ||
規格 / 承認 No | ||
高さ 1mm | ||
1チップ当たりのエレメント数 2 | ||
自動車規格 なし | ||
- COO（原産国）:
- CN
特長と利点:
• ESD 保護
•超低 Rds P チャネル負荷スイッチ
• V レンジ： 1.8 → 8.0 V
•オン / オフ範囲– 1.5 → 8.0 V
• SOT 363 パッケージ
•最大 1.3A の駆動負荷、 8V
用途:
•高レベルシフト付きハイサイドロードスイッチ
•携帯電話
•デジタルカメラ
• PDA
•メディアプレーヤー
ON Semiconductor デュアルN/PチャネルMOSFET
NTJD1155Lは、デュアルチャネルのMOSFETです。PチャンネルとNチャンネルを1つのパッケージに統合し、低制御信号、低バッテリ電圧、高負荷電流に優れています。NチャンネルはESD保護機能を内蔵しており、1.5Vの低電圧で駆動することができます。Pチャンネルは負荷切替用途で使用するように設計されています。また、PチャンネルはON Semiのトレンチテクノロジーを採用して設計されています。
MOSFETトランジスタ、ON Semiconductor
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