2 onsemi パワーMOSFET N+P負荷スイッチ, タイプP, タイプNチャンネル, 1.3 A, 表面 8 V, 6-Pin エンハンスメント型, NTJD1155LT1G パッケージSC-88

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梱包形態
RS品番:
780-0605
メーカー型番:
NTJD1155LT1G
メーカー/ブランド名:
onsemi
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ブランド

onsemi

プロダクトタイプ

パワーMOSFET

チャンネルタイプ

タイプP, タイプN

最大連続ドレイン電流Id

1.3A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

8V

パッケージ型式

SC-88

取付タイプ

表面

ピン数

6

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

320mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートソース電圧Vgs

8 V

最大許容損失Pd

400mW

順方向電圧 Vf

-0.8V

動作温度 Min

150°C

トランジスタ構成

N+P負荷スイッチ

動作温度 Max

-55°C

高さ

1mm

幅

1.35 mm

長さ

2.2mm

規格 / 承認

No

1チップ当たりのエレメント数

2

自動車規格

なし

特長と利点:


• ESD 保護

•超低 Rds P チャネル負荷スイッチ

• V レンジ： 1.8 → 8.0 V

•オン / オフ範囲– 1.5 → 8.0 V

• SOT 363 パッケージ

•最大 1.3A の駆動負荷、 8V

用途:


•高レベルシフト付きハイサイドロードスイッチ

•携帯電話

•デジタルカメラ

• PDA

•メディアプレーヤー

ON Semiconductor デュアルN/PチャネルMOSFET


NTJD1155Lは、デュアルチャネルのMOSFETです。PチャンネルとNチャンネルを1つのパッケージに統合し、低制御信号、低バッテリ電圧、高負荷電流に優れています。NチャンネルはESD保護機能を内蔵しており、1.5Vの低電圧で駆動することができます。Pチャンネルは負荷切替用途で使用するように設計されています。また、PチャンネルはON Semiのトレンチテクノロジーを採用して設計されています。

MOSFETトランジスタ、ON Semiconductor


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