Microchip Nチャンネル MOSFET350 V 72 mA 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピン

DN3135低しきい値デプレッションモード(通常オン)トランジスタで、高度な垂直型DMOS構造と実績あるシリコンゲート製造プロセスを採用しています。この組み合わせにより、バイポーラトランジスタの定格入力と、MOSデバイスの高入力インピーダンス及び正の温度係数を兼ね備えたデバイスになっています。MOS構造の例に漏れず、このデバイスも熱暴走や熱により誘発される二次降伏とは無縁です。垂直型DMOS FETは、高降伏電圧、高入力インピーダンス、高速スイッチングが求められる幅広いスイッチング及びアンプ製品に最適です。

高入力インピーダンス
低入力静電容量
高速なスイッチング速度
低オン抵抗
二次降伏なし
低い入力及び出力漏れ

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