- RS品番:
- 829-3332
- メーカー型番:
- DN2535N3-G
- メーカー/ブランド名:
- Microchip
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単価: 購入単位は10個
¥145.80
(税抜)
¥160.38
(税込)
個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
10 - 40 | ¥145.80 | ¥1,458.00 |
50 - 440 | ¥141.60 | ¥1,416.00 |
450 - 590 | ¥131.40 | ¥1,314.00 |
600 - 790 | ¥125.50 | ¥1,255.00 |
800 + | ¥121.30 | ¥1,213.00 |
* 購入単位ごとの価格 |
- RS品番:
- 829-3332
- メーカー型番:
- DN2535N3-G
- メーカー/ブランド名:
- Microchip
その他
詳細情報
Supertex NチャンネルデプレッションモードMOSFETトランジスタ
Microchip社のSupertexシリーズNチャンネル減損モードDMOS FETトランジスタは、高破壊電圧、高入力インピーダンス、低入力静電容量、そして高速なスイッチング速度が求められる用途に最適です。
特長
高入力インピーダンス
低入力静電容量
高速なスイッチング速度
低オン抵抗
二次降伏なし
低い入力及び出力漏れ
低入力静電容量
高速なスイッチング速度
低オン抵抗
二次降伏なし
低い入力及び出力漏れ
代表的用途
常時オンスイッチ
ソリッドステートリレー
コンバータ
リニアアンプ
定電流源
電源回路
電気通信
ソリッドステートリレー
コンバータ
リニアアンプ
定電流源
電源回路
電気通信
Microchip DN2535 N チャンネルデプレッションモード(通常オン)トランジスタは、 Advanced Vertical DMOS 構造と実績あるシリコンゲート製造プロセスを採用しています。この組み合わせにより、バイポーラトランジスタの定格入力と、MOSデバイスの高入力インピーダンス及び正の温度係数を兼ね備えたデバイスになっています。MOS構造の例に漏れず、このデバイスも熱暴走や熱により誘発される二次降伏とは無縁です。垂直型DMOS FETは、高降伏電圧、高入力インピーダンス、高速スイッチングが求められる幅広いスイッチング及びアンプ製品に最適です。ドレイン - ソース間電圧とドレイン - ゲート間電圧は 350 V 、静的ドレイン - ソース間オン抵抗は 25 Ω です。
高入力インピーダンス
低入力静電容量
高速なスイッチング速度
低オン抵抗
二次降伏なし
低い入力及び出力漏れ
鉛(Pb)フリー
3 リード TO-92 パッケージ
低入力静電容量
高速なスイッチング速度
低オン抵抗
二次降伏なし
低い入力及び出力漏れ
鉛(Pb)フリー
3 リード TO-92 パッケージ
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
MOSFETトランジスタ、Microchip
仕様
特性 | |
---|---|
チャンネルタイプ | N |
最大連続ドレイン電流 | 120 mA |
最大ドレイン-ソース間電圧 | 350 V |
パッケージタイプ | TO-92 |
実装タイプ | スルーホール |
ピン数 | 3 |
最大ドレイン-ソース間抵抗 | 25 Ω |
チャンネルモード | デプレッション型 |
最大ゲートしきい値電圧 | 3.5V |
最大パワー消費 | 1 W |
トランジスタ構成 | シングル |
最大ゲート-ソース間電圧 | -20 V, +20 V |
動作温度 Max | +150 °C |
長さ | 5.2mm |
1チップ当たりのエレメント数 | 1 |
幅 | 4.19mm |
トランジスタ素材 | Si |
高さ | 5.33mm |
動作温度 Min | -55 °C |
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