2 Infineon MOSFET 分離式, タイプP, タイプNチャンネル, 3.5 A, 表面 25 V, 8-Pin エンハンスメント型 パッケージSOIC

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RS品番:
165-5912
メーカー型番:
IRF7105TRPBF
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプP, タイプN

最大連続ドレイン電流Id

3.5A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

25V

パッケージ型式

SOIC

シリーズ

HEXFET

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

400mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

2W

順方向電圧 Vf

1.2V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

10nC

トランジスタ構成

分離式

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

No

長さ

5mm

幅

4 mm

高さ

1.5mm

1チップ当たりのエレメント数

2

自動車規格

なし

デュアルN / PチャンネルパワーMOSFET、Infineon


InfineonのデュアルパワーMOSFETでは、2つのHEXFET®デバイスが統合されているので、基板スペースが最優先される高コンポーネント密度の設計において、省スペースでコスト効果の高いスイッチングソリューションが実現されます。 さまざまなパッケージングオプションを用意しているので、設計者はデュアルN/Pチャンネル構成を選択できます。

MOSFETトランジスタ、Infineon


Infineonでは、CoolMOS、OptiMOS、StrongIRFETの各ファミリをはじめ、MOSFETデバイスの幅広く包括的な製品ラインを取り揃えています。効率、電力密度、及びコスト効果を高めるためにクラス最高の性能を実現しています。高い品質と強化された保護機能が求められる設計では、AEC-Q101車載用規格に適合するMOSFETが活用されます。

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。


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