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MOSFET・モスフェット
Infineon Nチャンネル MOSFET30 V 7.3 A 表面実装 パッケージSOIC 8 ピン
RS品番:
165-5930
メーカー型番:
IRF7201TRPBF
メーカー/ブランド名:
Infineon
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取扱終了
RS品番:
165-5930
メーカー型番:
IRF7201TRPBF
メーカー/ブランド名:
Infineon
データシート
その他
詳細情報
仕様
IRF7201TRPBF HEXFET Power MOSFET Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1
RoHSステータス: 適合
NチャンネルパワーMOSFET 30 V、Infineon
InfineonのディスクリートHEXFET®パワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。 さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
MOSFETトランジスタ、Infineon
Infineonでは、CoolMOS、OptiMOS、StrongIRFETの各ファミリをはじめ、MOSFETデバイスの幅広く包括的な製品ラインを取り揃えています。効率、電力密度、及びコスト効果を高めるためにクラス最高の性能を実現しています。高い品質と強化された保護機能が求められる設計では、AEC-Q101車載用規格に適合するMOSFETが活用されます。
特性
チャンネルタイプ
N
最大連続ドレイン電流
7.3 A
最大ドレイン-ソース間電圧
30 V
シリーズ
HEXFET
パッケージタイプ
SOIC
実装タイプ
表面実装
ピン数
8
最大ドレイン-ソース間抵抗
50 mΩ
チャンネルモード
エンハンスメント型
最大ゲートしきい値電圧
1V
最低ゲートしきい値電圧
1V
最大パワー消費
2.5 W
トランジスタ構成
シングル
最大ゲート-ソース間電圧
-20 V, +20 V
標準ゲートチャージ @ Vgs
19 nC @ 10 V
幅
4mm
動作温度 Max
+150 °C
トランジスタ素材
Si
長さ
5mm
1チップ当たりのエレメント数
1
動作温度 Min
-55 °C
高さ
1.5mm
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