2 Infineon MOSFET 分離式, タイプN, タイプPチャンネル, 4 A, 表面 30 V, 8-Pin エンハンスメント型, IRF7309TRPBF パッケージSOIC

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RS品番:
826-8866
Distrelec 品番:
304-44-451
メーカー型番:
IRF7309TRPBF
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN, タイプP

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

4A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

30V

シリーズ

HEXFET

パッケージ型式

SOIC

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

80mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

最大許容損失Pd

1.4W

順方向電圧 Vf

1V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

16.7nC

トランジスタ構成

分離式

動作温度 Max

150°C

幅

4 mm

規格 / 承認

No

長さ

5mm

高さ

1.5mm

1チップ当たりのエレメント数

2

自動車規格

なし

デュアルN / PチャンネルパワーMOSFET、Infineon


InfineonのデュアルパワーMOSFETでは、2つのHEXFET®デバイスが統合されているので、基板スペースが最優先される高コンポーネント密度の設計において、省スペースでコスト効果の高いスイッチングソリューションが実現されます。 さまざまなパッケージングオプションを用意しているので、設計者はデュアルN/Pチャンネル構成を選択できます。

MOSFETトランジスタ、Infineon


Infineonでは、CoolMOS、OptiMOS、StrongIRFETの各ファミリをはじめ、MOSFETデバイスの幅広く包括的な製品ラインを取り揃えています。効率、電力密度、及びコスト効果を高めるためにクラス最高の性能を実現しています。高い品質と強化された保護機能が求められる設計では、AEC-Q101車載用規格に適合するMOSFETが活用されます。

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