インフィニオン MOSFET, Nチャンネル, 7.1 A, 表面実装, 3 ピン, IPD50R520CPBTMA1

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RS品番:
165-5984
メーカー型番:
IPD50R520CPBTMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

N

最大連続ドレイン電流

7.1 A

最大ドレイン-ソース間電圧

550 V

パッケージタイプ

DPAK (TO-252)

シリーズ

CoolMOS CP

実装タイプ

表面実装

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗

520 mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートしきい値電圧

3.5V

最低ゲートしきい値電圧

2.5V

最大パワー消費

66 W

トランジスタ構成

シングル

最大ゲート-ソース間電圧

-20 V, +20 V

1チップ当たりのエレメント数

1

幅

6.22mm

長さ

6.73mm

標準ゲートチャージ @ Vgs

13 nC @ 10 V

動作温度 Max

+150 °C

トランジスタ素材

Si

動作温度 Min

-55 °C

高さ

2.41mm

RoHSステータス: 該当なし

COO（原産国）:
CN

Infineon CoolMOS™CPパワーMOSFET



MOSFETトランジスタ、Infineon


Infineonでは、CoolMOS、OptiMOS、StrongIRFETの各ファミリをはじめ、MOSFETデバイスの幅広く包括的な製品ラインを取り揃えています。効率、電力密度、及びコスト効果を高めるためにクラス最高の性能を実現しています。高い品質と強化された保護機能が求められる設計では、AEC-Q101車載用規格に適合するMOSFETが活用されます。

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