インフィニオン MOSFET, Nチャンネル, 7.1 A, 表面実装, 3 ピン, IPD50R520CPBTMA1

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RS品番:
827-5334
メーカー型番:
IPD50R520CPBTMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

N

最大連続ドレイン電流

7.1 A

最大ドレイン-ソース間電圧

550 V

シリーズ

CoolMOS CP

パッケージタイプ

DPAK (TO-252)

実装タイプ

表面実装

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗

520 mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートしきい値電圧

3.5V

最低ゲートしきい値電圧

2.5V

最大パワー消費

66 W

トランジスタ構成

シングル

最大ゲート-ソース間電圧

-20 V, +20 V

動作温度 Max

+150 °C

1チップ当たりのエレメント数

1

標準ゲートチャージ @ Vgs

13 nC @ 10 V

長さ

6.73mm

トランジスタ素材

Si

幅

6.22mm

高さ

2.41mm

動作温度 Min

-55 °C

RoHSステータス: 該当なし

Infineon CoolMOS™CPパワーMOSFET



MOSFETトランジスタ、Infineon


Infineonでは、CoolMOS、OptiMOS、StrongIRFETの各ファミリをはじめ、MOSFETデバイスの幅広く包括的な製品ラインを取り揃えています。効率、電力密度、及びコスト効果を高めるためにクラス最高の性能を実現しています。高い品質と強化された保護機能が求められる設計では、AEC-Q101車載用規格に適合するMOSFETが活用されます。

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